02-光电技术基础资料解读.ppt

教学进度 第二讲 光电技术基础 半导体对光的吸收 物质对光吸收的一般规律 半导体对光的吸收 光电效应 内光电效应 外光电效应 光波入射到物质表面上，用透射法测定光通量的衰减时，发现通过路程dx的光通量变化dΦ与入射的光通量Φ和路程dx的乘积成正比，即 二、半导体对光的吸收（ 1.5.2 ） 1、本征吸收 发生本征吸收的条件： 光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 2 、杂质吸收 杂质吸收的长波限—— 3. 激子吸收 4. 自由载流子吸收 6.半导体各种吸收类型的总结： 光电效应 一、内光电效应 2. 光生伏特效应 3. 丹培（Dember）效应 4.光磁电效应 5. 光子牵引效应 二、 光电发射效应——外光电效应 本讲小结 物质对光吸收的一般规律 半导体对光的吸收类型： 本征、杂质、激子、自由载流子、晶格 光电效应对应的：本征和杂质 内光电效应 光电导效应（弱辐射时线性关系） 光生伏特效应（光电二极管反向偏置时电流与入射辐射的线性关系）——半导体图像传感器 外光电效应 金属材料 ——光电发射器件 * 图像传感器的概述 光电技术基础 光源 CCD图像传感器基本工作原理 典型面阵ICCD 视频信号处理及 计算机数据采集 图像传感器的典型应用 典型线阵ICCD 图像传感器基本原理及电视制式 α称为吸收系数 初始条件x=0时Φ=Φ0，解微分方程，可以找到通过x路程的光通量为 一、物质对光吸收的一般规律（1.4.1） 物质的吸收系数α：光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数。 根据电动力学理论，平面电磁波在物质中传播时，辐射通量随传播路径x的变化关系应为： μ称为消光系数 结论： 1、半导体的消光系数μ与入射光的波长无关，表明它对愈短波长的光吸收愈强。 2、普通玻璃的消光系数μ也与波长λ无关，因此，它们对短波长辐射的吸收比长波长强。 当不考虑反射损失时，吸收的光通量应为 物质的吸收系数 吸收类型 本征吸收 杂质吸收 激子吸收 自由载流子吸收 晶格吸收 在不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子很少。 当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由运动的自由电子。同时，在价带中留下一个自由空穴，产生电子-空穴对。 本征吸收： 半导体价带电子吸收光子能量跃迁入导带，产生电子空穴对的现象 预备知识：价带、导带、禁带、P/N型半导体 发生本征吸收的光波长波限 只有波长短于上述波长极限的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 图像传感器常用材料： Si单晶材料室温下禁带宽度为1.1ev, 波长极限为1100nm P型半导体中，价带上的电子吸收了能量hv大于ΔEA（受主电离能）的光子后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量hv。若hv大于等于施主电离能ΔED，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子 P或N型杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程。 由于禁带宽度EgΔED或ΔEA ，因此，杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。 N型半导体 P型半导体 杂质吸收会改变半导体的导电特性，也会引起光电效应 当入射到本征半导体上的光子能量hv小于Eg，或入射到杂质半导体上的光子能量hv小于杂质电离能（ΔED或ΔEA）时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束但是处于受激状态。 激子：处于受激状态的电子 激子吸收：吸收光子能量产生激子的现象 激子吸收不会改变半导体的导电特性。 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高时，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增强。 自由载流子吸收和晶格吸收不会改变半导体的导电特性 自由载流子吸收: 由自由载流子在同一能带内的能级间的跃迁所引起的吸收。 5. 晶格吸收 晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。 只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，能够引起光电效应。 其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导电特性。 光电效应分为内光电效应与外光电效应两类