薄膜材料与薄膜制备解说.ppt

3 传统热CVD法制模 日期：2015.6.19 CVD制模基本原理 化学气相沉积CVD(Chemical?Vapor?Deposition)是利用加热，等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反应并以原子态沉积在适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。 CVD制模基本原理 基本示意图 CVD制模基本特征 最主要的是必须要有化学反应，化学反应还需以下三大特点： ? 反应物质在室温或不太高的温度下最好是气态，或有很高的蒸气压，且有很高的纯度 ? 通过沉积反应能够形成所需要的材料沉积层 ? 反应易于控制 CVD制模基本特征 CVD制模基本特征 CVD的分类 1 ．按沉积温度分：低温（200~500℃） 、中温（500~1000℃）、高温（1000~1300℃） 2 ．按反应压力分：常压CVD（APCVD）、减压CVD（LPCVD） 3 ．按反应器壁温度分：热壁CVD、冷壁CVD 4．按激活方式分：热激活、等离子体激活（电场、微波、ECR 等）、光激活（紫外光、激光等） 5.以主要特征进行综合分类，可分为热化学气相沉积（TCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等 CVD制模基