半导体工艺及器件模拟复习解说.ppt

* 半导体器件电学特性仿真 DESSIS 已经学过的基本半导体器件方程，包括： 电流连续性方程 电流输运方程 泊松方程 * 半导体器件电学特性仿真 DESSIS 一维情况下,上述方程组可化简为： 电流连续性方程 电流输运方程 泊松方程 半导体器件电学特性仿真 DESSIS * 若计算温度分布，需要求解如下方程： 如采用热力学模型，需在Physics节中加Thermodynamic关键词 其中 * NMOS电学特性仿真 Electrode { *Having loaded the device structure into DESSIS, it is necessary * to specify which of the contacts are to be treated as electrodes. * Electrodes in DESSIS are defined by electrical boundary * conditions and contain no mesh. { Name=source” Voltage=0.0 } { Name=drain“ Voltage=0 } { Name=gate“ Voltage=0 Barrier=-0.55 }