光电技术_03光生伏特器件要点.pptVIP

第3章 光生伏特器件 3.1 硅光电二极管 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底 2CU系列光电二极管只有两个引出线， 而2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极。 硅光电二极管结构示意图 2DU管加环极的目的是为了减少暗电 流和噪声。 光电二极管的受光面一般都涂有SiO2防反射膜，而SiO2中又常含有少量的钠、钾、氢等正离子。 SiO2是电介质，这些正离子在SiO2中是不能移动的，但是它们的静电感应却可以使P-Si表面产生一个感应电子层。 这个电子层与N-Si的导电类型相同，可以使P-Si表面与N－Si连通起来。 当管子加反偏压时，从前极流出的暗电子流，除了有PN结的反向漏电子流外，还有通过表面感应电子层产生的漏电子流，从而使从前极流出的暗电子流增大。 为了减小暗电流，设置一个N+-Si的环把受光面（N-Si）包围起来，并从N+-Si环上引出一条引线（环极），使它接到比前极电位更高的电位上，为表面漏电子流提供一条不经过负载即可达到电源的通路。 这样，即可达到减小流过负载的暗电流、减小噪声的目的。 如果使用时环极悬空，除了暗电流、噪声大些外，其它性能均不受影响。 2CU管子，因为是以N-Si为衬底，虽然受光面的SiO2防反射膜中也含有少量的正离子，而它的静电感应不会使N-Si表面产生一个和P-Si导电类型相同的导电层，从而也就不可能出现表面漏电流，所以不需要加环极。 光电二极管的用法： 光电二极管的用法只能有两种。 一种是不加外电压，直接与负载相接。 另一种是加反向电压，如图所示。 a) 不加外电源? b) 加反向外电源? c) 2DU环极接法 实际上，不是不能加正向电压，只是正接以后就与普通二极管一样，只有单向导电性，而表现不出它的光电效应。 2.光电二极管的电流方程 3.1.2 光电二极管的基本特性 3. 光谱响应 4. 时间响应 4. 噪声 3.2 其他类型的光生伏特器件 3.2.1 PIN(Positive-Intrinsic-Negative)型光电二极管 PIN管是光电二极管中的一种。是在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。 这样，PN结的内电场就基本上全集中于I层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式τ = CjRL与f = 1/2πτ知，Cj小，τ则小，频带将变宽。因此，这种管子最大的特点是频带宽，可达10GHz。另一个特点是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围宽。 由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 所不足的是，I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安，灵敏度低。 目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 2.工作原理 当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生所谓的自持雪崩。 这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。 由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。 3.噪声 3.2.3 硅光电池（不需要加偏压的PN结） 1. 硅光电池的基本结构和工作原理 3. 硅光电池的输出功率 4.光电池的光电转换效率 3.2.4 光电三极管 2. 光电三极管特性 ２）光电特性 呈现一定的非线性，原因是　　不是常数，在小电流和大电流时　　都要下降 ３）时间响应（频率特性） ４）温度特性 ５）光谱响应 3.2.5 色敏光生伏特器件 3.2.6 光伏器件组合器件 1、象限阵列光伏器件组合件 2、线阵列光伏器件组合件 3、楔环阵列组合件 3.2.7 光电位置敏感器件（PSD） 2. 一维PSD器件 3.二维PSD器件 3.3 光生伏特器件的偏置电路(反偏，零偏、自偏) 3.3.1 反向偏置电路 2.输出电流、电压与辐射量间的关系 3.反向偏置电路的设计与计算 3.3.2 零伏偏置电路 3.4 半导体光电器件的特性参数与选择问题 3.4.1 半导体光电器件的特性参数 1. PSD器件的工作原理 （横向效应） I0=