材料研究分析方法XPS.ppt

XPS 表面分析技术 在材料研究中的应用 主要内容 表面分析技术 XPS分析简介 XPS测试设备与分析 XPS的应用研究实例 表面分析技术 表面分析技术的应用涉及半导体、催化、冶金、腐蚀、涂层、粘合、聚合物、注入、渗杂等; 表面分析技术是研究物质表面的形貌、化学组成、原子结构、原子态等信息的实验技术; 表面分析技术通过研究微观粒子与表面的相互作用获得表面信息; 按所获得的信息分类，可分为组分分析、结构分析、形貌分析等。 表面分析的主要手段 XPS-X射线光电子能谱仪 UPS-紫外光电子能谱仪 AES-俄歇电子能谱仪 SIMS-二次离子质谱 EELS-电子能量损失谱 AFM-原子力显微镜 STM-扫描隧道显微镜 XPS分析简介 1914年曼彻斯特的Rutherford表述了XPS基本方程： Ek=h?-Eb-Φ 式中，Ek为光电子动能，h ? 为激发光能量，Eb是固体中电子结合能，Φ为逸出功。 2O世纪4O年代瑞典Uppsala大学在β-射线谱取得重大进展，K.Siegbahn建造了一台能测量电子动能的XPS仪器,其鉴别能力达1O-15。 1954年，动能Ek首次被准确地测量,从而得到结合能Eb 。不久因化学状态变化而产生的内能级位移也被观测到。即所谓的化学位移现象。基于XPS这种化学状态分析能力，K.Siegbahn取名为ESCA其全称为Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，即化学分析电子谱。 K.Siegbahn因为这些工作，获1981年物理学诺贝尔奖。 XPS测试设备与分析 XPS主要测试设备 美国PHi5000糸列，及Qutum2000糸列 英国VG公司ESCALAB2000糸列及Kratos公司的XSAN800糸列 曰本岛津ESCA-850糸列 XPS测试设备与分析 在单色（或准单色）X射线照射下，测量材料表面所发射的光电子能谱来获取表面化学成分、化学态、分子结构等方面的信息，这种表面分析技术称为X射线光电子能谱（XPS）。 XPS由X-ray激发源、样品室、能量分析器、PSD位置灵敏探测器和数据处理系统及超高真空系统等组成。 XPS总图 样品室 样品分析室的真空度要求 真空度:10-6Pa～10-7 Pa 研究固体的表面比研究固体内部还有更大的困难，原因之一是固体的表面和固体内部相比,它们在结构、电学和化学性质等方面很不相同。另一个原因是需要提供一个原子数量级的纯洁表面,并能在一定时间内保持这个表面的清洁性; X射线激发产生的光电子，只有在超高真空内，才能被能量分析器检测到，XPS测试过程需要一个超高真空系统; 超高真空系统:由机械泵-涡轮分子泵-溅射离子泵-钛升华泵组成。 能量分析器 X-ray源 X-ray激发源: X射线光电子能谱的X射线源主要由灯丝、阳极靶以及滤窗组成。X射线采用软X射线，即波长较长的光波。一般采用镁铝双阳极靶。 MgKαX射线能量1253.6eV A1KαX射线能量1486.6eV 激发源功率：200W～400W X-ray激发源结构图 进样室 观察显微镜 样品调整台 工作示意图 XPS提供的测量信息 元素：XPS能检测除H以外的所有元素，检测限0.1% atom原子浓度。(原子浓度和实际材料配比的摩尔数相当,在我们日常的检测限:1%-3%) 化学状态：根据XPS测试的结合能大小、峰形、俄歇参数分析材料表面化学状态、化学位移、化学结构。 定量：根据元素的峰面积、峰高和相应的元素灵敏度因子，可测试材料表面的原子浓度。可分析材料中不同元素的原子浓度比。 深度：(1)用Ar+离子溅射材料表面作深度分析，但Ar+离子对材料表面有损伤，结合能的位置会有微小的改变，以及溅射产额的不同，引起表面的成份变化。(2)用角分辨深度分析，对表面无损伤。依据激发射线和样品表面的夹角来分析。缺点是分析深度变化在几十个纳米范围内。 XPS的分析取样深度 固体中的原子吸收X射线后将导致其中的电子出射，这个现象又称之为光电离。出射的电子可能来自紧束缚的内能级，也可能来自弱成键价能级或分子轨道。只有部分光电离的电子能从表面逃逸后进入真空,称之为光电效应; XPS采用的软X射线虽能穿透材料几个微米，但由于光电效应，XPS的表面灵敏度同激发源X射线穿透深度无关; 取样深度: 金属0.5-2nm;无机材料1-3nm深度;有机材料3-10nm 。 离子枪 5KV离子枪 离子枪的主要用途： 用Ar+离子束清除样品表面的污染层; 对材料表面进行深度剖析。 离子枪的构成： 主要由Ar气源、泄漏阀、电离室（灯丝，高压栅极）、聚焦镜