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基本概念复习 第一章 电路基本元件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 （4）√ （5）× （6）× 第三章 多级放大电路 一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。 （1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( ) （2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。( ) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。( ) （4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) 解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× 二、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。 解：（1）A，A （2）D，A （3）B，A （4）D，B 三、选择合适答案填入空内。 （1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 （3）选用差分放大电路的原因是 。 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。 A.差 B.和 C.平均值 （5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 （