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- 2016-08-18 发布于湖北
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模拟电子技术期末总复习 第1章 二极管及其基本电路 本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体 杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素.在杂质半导休中,多数截流子的浓度与掺杂工艺有关,少数截流子的浓度与温度有关. N型:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷,施主杂质);N型半导体的多子是电子,少子是空穴;所以N型半导体是电子导电型半导体. P型:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼,受主杂质);P型半导体的多子是空穴,少子是电子;所以P型半导体空穴导电型半导体. PN结:通过掺杂工艺将P型半导体与N型半导体制作在同一硅片上,它们在交界面形成一层不能移动的空间电荷区,这个电荷区就称PN结. 在PN结形成过程中,载流子扩散运动是由于浓度差作用下产生的,漂移运动是由于内电场作用下产生的. 单向导电性:PN结加正向电压(P端接高电位,N端接低电位)时, PN结导通, 反之,加反向电压时, PN结截止. 电容效应:PN结存在两种电容,分别叫做势垒电容和扩散电容.PN结正向工作时主要存在扩散电容,反向工作是主要存在势垒电容. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体吗? 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电吗? 第1章 二极管及其基本电路 伏安特性:二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线.二极管的伏安关系可近似表述为公式
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