微机原理与接口技术(下).pptx

微机原理与接口技术武汉大学电子信息学院2主要内容1.存储器分类用来存储程序和数据；容量越大，微机性能越好.按用途分外部存储器(外存)：海量存储器位于主机外部，用来存放当前暂时不用的程序和数据，CPU通过I/O接口电路对外存进行读/写操作.特点：容量大，速度慢，由磁表面存储器件构成.内部存储器(内存)：主存储器位于主机内部，用来存放当前正在或经常使用的程序和数据，CPU通过指令对内存进行读/写操作.特点：容量小，速度快，由半导体存储器件构成.按存取方式，半导体存储器分为读写存储器：随机存取存储器，RandomAccessMemory，RAM.只读存储器：ReadOnlyMemory，ROM.3存储器外存硬盘、软盘、光盘、优盘、磁带、磁泡内存RAM(SRAM、DRAM)ROM(掩模型ROM、PROM、EPROM、E2PROM)微机内存由RAM模块和ROM模块组成2.半导体存储器性能包括存储容量：说明存储器存储能力.指可以存储的二进制信息量.常用可能存储的字节数表示，如64KB、512MB和1GB等.存取时间：说明存储器工作速度.指从接收地址码到取出或存入数据所需的时间.最大存取时间(存取时间上限值)愈短，工作速度愈快，典型值为十几～几百ns.可靠性：说明存储器平均无故障时间.通常为数千小时以上.43.读写存储器RAM机器运行期间可读/写的存储器.计算机内存容量均是指RAM的容量.依内部结构和信息存储方式分为静态RAM(StaticRAM，SRAM)动态RAM(DynamicRAM，DRAM)53.1SRAM(1/6)常用来组成高速缓冲存储器(Cachememory).优点访问速度快(访问周期20~40ns)，工作稳定，无需刷新，外电路简单.缺点工艺复杂，集成度低，功耗较大，成本高.分为双极型器件：工艺复杂，集成度低，功耗大，较少使用.MOS型器件：基本单元存储电路(1个二进制存储位)通常是6个MOS管.利用双稳态触发电路保存信息.许多基本存储单元按行、列排成矩阵组成一SRAM芯片.63.1SRAM(2/6)组成⑴存储矩阵：基本存储单元电路排列方式.字结构：一个字节的8位在同一块存储器芯片上，即一个字节的8位由同一个芯片的8个基本单元组成.优点：结构清晰.缺点：芯片封装引脚多.如访问1K位(128×8)的存储器芯片，需7根地址线和8根数据线.位结构：一个存储器芯片内的基本单元作不同字节的同一位，即一个字节的8位由8块芯片的8个基本单元组成.优点：芯片封装引脚少.缺点：结构复杂如访问lK位(1024×1)的存储器芯片，需l0根地址线和1根数据线.73.1SRAM(3/6)83.1SRAM(4/6)⑵地址译码器：CPU读/写一个存储单元时，通常高位地址经片外地址译码器译码产生片选信号选中芯片.低位地址经片内地址译码器译码选中片内的存储单元.片内地址译码器有线性译码方式：结构复杂.如l024×1的位结构芯片排列成1024×1矩阵，A0~A9接片内译码器，译码器共有1024根输出线.复合译码方式：结构简单.如l024×1的位结构芯片排列成32×32矩阵，A0~A4接X译码器(行译码)，A5~A9接Y译码器(列译码)，X和Y译码器各有32根输出线.⑶控制逻辑与三态数据缓冲器高位地址译码后，CS有效，存储器芯片被选中.RD、WR送到R/W时，CPU经D0~D7(三态数据缓冲器)对存储器读/写.93.1SRAM(5/6)103.1SRAM(6/6)例：6264(8K×8位)A0~A12：地址线I/O1~I/O8：数据线WE：写允许，↓有效OE：读允许，↓有效CE1，CE2：片选Vcc：+5VVss：地典型芯片：6264(8K×8位)、62128(16K×8位)、62256(32K×8位)113.2DRAM(1/3)常用来组成计算机的标准内存储器.优点集成度高，功耗低，成本低.缺点访问速度慢(访问周期100ns-200ns)，需要刷新(存储器中的内容在存储10-3或l0-6秒后会自动消失).刷新：先读出存储单元的内容，然后经放大器放大后重新写入存储器.刷新周期：刷新一次的时间.基本单元存储电路(1个二进制存储位)通常是1~4个MOS管和一个电容.利用电容存储电荷的方式保存信息.许多基本存储单元按行、列排成矩阵组成一DRAM芯片.123.2DRAM(2/3)为了提高集成度，减少封装引脚数目，地址线分成行地址列地址访问时先由行地址选通信号RAS把行地址送入内部行地址锁存器.后由列地址选通信号CAS把列地址送入内部列地址锁存器.芯片主要特点刷新地址两次打入133.2DRAM(3/3)例：2164（64K×l位）A0~A7：地址线WE：读/写控制线RAS：行选通信号CAS：列选通信号DIN：数据输入DOUT：数据输出Vcc：+5VGND：地典型芯片：211