第2章集成器件物理基础1.pptVIP

第2章 集成器件物理基础 2.1 半导体及其能带模型 2.1.1 半导体及其共价键结构 2.1.2 半导体的能带模型 2.1.3 费米分布函数 2.1.1 半导体及其共价键结构 1. 半导体材料 2. 集成电路中常用元素的原子结构 3. 硅晶体中的共价键 4. 单晶和多晶 5. 半导体的导电机构 1. 半导体材料 （1）导体、半导体和绝缘体 物质导电能力的强弱用其电导率表示。电导率的倒数称为电阻率。按照电阻率的大小可将自然界中的物质分为导体、半导体和绝缘体三类。 （2）掺杂”对半导体电导率的影响 在集成电路中，半导体材料之所以起着突出的作用，并不是由于其导电能力在“数量”上介于导体和绝缘体之间，而是因为它在导电特性上与导体、绝缘体有重要的“质”的区别。 例：理想的纯硅材料电阻率为2.3?105 ??cm 。但是只要掺入浓度约为5?1015/cm3 的杂质磷原子，就可以得到电阻率约为1 ??cm 的硅单晶。硅的原子密度为5?1022/cm3 ，这样，硅中磷原子的含量只有硅原子的1/107，而导电能力却提高了20多万倍。 （2）掺杂”对半导体电导率的影响 由此可见，杂质原子的含量虽然微小，但对半导体材料的导电能力却起了决定性的作用。半导体的导电特性可以通过掺杂来控制是半导体能制成各种器件从而得到广泛应用的一个重要的原因。 （3）半导体材料的类型 集成电路中所用的半导体材料有元素半导体和化合物半导体材料两类。元素半导体材料主要包括硅（Si）、（Ge）等；化合物半导体材料包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、铝镓砷（AlGaAs）、铟镓砷（InGaAs）等。 （2）常用元素原子结构简单示意图 3. 硅晶体中的共价键 按内部原子的排列方式不同，物质可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质就是非晶体，而晶体是由原子规则排列所组成的。硅、锗等绝大部分半导体材料都是晶体，这就是“晶体管”名称的由来。 4. 单晶和多晶 按照原子在整个晶体内的排列形式不同，晶体分成单晶体和多晶体两种； 单晶是指在整个晶体内原子都是周期性的规则排列； 多晶是指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可以看成是由许多取向不同的小单晶体（又称为晶粒）组成的。 4. 单晶和多晶 半导体硅器件生产中所用的原始材料基本上都是单晶体硅，通常称为单晶硅。但是在MOS集成电路生产中通常采用多晶硅作为栅电极材料，并作为金属材料以外的另一种互连材料。 在一定的温度下，晶体中的价电子虽然是处于共价键的束缚之中，但也同时在键中不断地运动，平时称这种运动为热运动。由于硅晶体共价键中价电子所受的束缚较弱，因此，在室温下，处于热运动的价电子中有一部分会因为具有较大的热运动能量，能冲破共价键的束缚成为一个自由电子，在这同时破坏了一个共价键，在该共价键上留下了一个电子空位，如图2. 5 所示。这个过程称为“热激发”。价电子冲破束缚所需要的最小能量称为激活能。 问题：如果此时有外加电场作用能形成电流否? （2）“空穴”的概念 正常情况下，原于核所带的正电荷数与核外电子所带的负电荷总数相等，整个原子是电中性的，不显电性。由于热激发使共价键上一个电子被激发成为自由电子，脱离原来原子的束缚，这样就少了一个单位负电荷(－q)，就破坏了电中性，相当于空位带一个正电荷(＋q)。 尽管空位的运动是价电子依次填充运动的结果，但是为了处理问题的方便，可以将空位的运动看成是一个带单位正电荷(＋q)的“粒子”的运动，这个“粒子”就称为“空穴”。 6. 半导体的主要特点 在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加； 半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在重掺杂情况下，温度对导率的影响较弱； 在半导体中可以实现非均匀掺杂； 光的辐照、高能电子等的注入可以影响半导体的电导率． 2.1.2 半导体的能带模型 2.1.2 半导体的能带模型 0.补充 按照原子物理的分析，对于各种原子，可以想象为电子在各不同的轨道（orbit）上围绕着原子核旋转。单原子中的电子处于原子核的控制下，如没有得到足够的能量，电子不能离开原子核；不同轨道上的电子处于不同的能量，允许的能量是量子化的，所以称这种确定的能量状态为能级（energy level）。各电子实际上处于哪个状态，由以下两条规律决定： （1）能量最低原理，即电子总是尽可能处于最低的能级； （2）泡利不相容原理，即同一状态只能有一个电子存在，每一个能级可以容纳2个电子（两个自旋状态完全相反的电子）。 2.1.2 半导体的能带模型 原子的壳