第七章 光电二极管.pptVIP

PIN硅光电二极管特点： 频带宽，可达10GHz。另一个特点是线性输出范围宽。由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 不足：I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。 照度 电流 PIN光电二极管性能 3、雪崩光电二极管（APD） PIN型光电二极管提高了PN结光电二极管的时间响应，但对器件的灵敏度没有多少改善。为了提高光电二极管的灵敏度，人们设计了雪崩光电二极管，使光电二极管的光电灵敏度提高到需要的程度。 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。 雪崩光电二极管是具有内增益的一种光伏器件。它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光电流的增益。在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下高速定向运动，具有很高动能的光生电子或空穴与晶格原子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子－空穴对；二次电子和空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又使晶格原子电离产生新的电子－空穴对，此过程像“雪崩”似地继续下去。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加。 APD载流子雪崩式倍增示意图 高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增。所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。 ? 雪崩光电二极管(APD) 雪崩光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数或雪崩增益M表示，它定义为: 倍增系数M与PN结所加的反向偏压有关。 一般在100～200V。也有的管子工作电压更高。 i为输出电流，i0为倍增前的电流. 雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，受温度影响大。 雪崩光电二极管特点: APD光电二极管性能 光电三极管 用得最多的是用硅材料制成的PN结型，它的价格也最便宜。其他几种响应速度高，主要用于光纤通信及计算机信息传输。 N为前极，P为后极，有环极的光电二极管有三根线引出，不用环极则断开。 光电二极管 以光导模式工作的结型光伏探测器称为光电二极管 种类： PN 结型光电二极管（也称PD） PIN 结型光电二极管 雪崩光电二极管（记为APD） 肖特基势垒光电二极管 光电三极管 …… 定义： * 制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。 由于硅器件较之锗器件暗电流温度系数小得多 制作硅器件采用平面工艺使其管芯很容易精确控制 因此硅光电二极管得到广泛应用 硅光电二极管的两种典型结构，其中(a)是采用N型单晶硅和扩散工艺，称为p＋n结构。它的型号是2CU型。而(b)是采用P型单晶磷和扩散工艺，称n＋p结构。它的型号为2DU型。 2CU型 2DU型 硅光电二极管的结构 * p+n结构硅光电二极管(2CU) 反向电压偏置 光敏二极管 光敏二极管的反向偏置接线及光照特性示意图 在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。 当光照增加时，光电流IΦ与光照度成正比关系。 光敏二极管的反向偏置接法 RL 光照 外形 光变化－电流变化 光电转换器 光敏特性 （a） （b） 光电二极管的符号与光电特性的测量电路 （a）符号 （b）光电特性的测量电路 硅光电二极管 硅光电二极管的特性 1.光谱特性 2.伏安特性 3.频率特性 4.温度特性 （1）光谱响应特性 Si光电二极管光谱响应范围：0.4~1.1?m 峰值响应波长约为0.9 ?m 通常将其峰值响应波长的电流灵敏度作为光电二极管的电流灵敏度。硅光电二极管的电流响应率通常在0.4~05?A/?W （2）伏安特性 由图可见，在低反压下电流随光电压变化非常敏感。这是由于反向偏压增加使耗尽层加宽、结电场增强，它对于结区光的吸收率及光生裁流子的收集效率影响很大。当反向偏压进一步增加时，光生载流子的收集已达极限，光电流就趋于饱和。这时，光电流与外加反向偏压几乎无关，而仅取决于入射光功率。 光电二极管在较小负载电阻下，入射光功率与光电流之间呈现较好的线性