硅集成电路工艺——化学气相淀积导论.pptVIP

天津工业大学 CompanyLOGO 天津工业大学 Chap.6 化学气相淀积（CVD） CVD的基本概念、特点及应用 1 CVD的基本模型及控制因素 2 3 CVD多晶硅和氮化硅的方法 4 5 CVD SiO2的特性和方法 CVD系统的构成和分类 天津工业大学 CVD的基本概念 化学气相淀积（CVD）： ——把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，并以某种方式激活后在衬底表面发生化学反应并在淀积成膜的一种方法。 天津工业大学 CVD氧化膜与热生长氧化膜 天津工业大学 CVD的工艺特点 CVD成膜温度远低于衬底的熔点或软点，减轻了对衬底的热形变，减少了沾污，抑制了缺陷的生成，减轻了杂质的再分布，适合于制造浅结分离器件及VLSI电路，而且设备简单，重复性好； 薄膜的成分精确可控，配比范围大； 淀积速率一般高于PVD，厚度范围广，由几百埃到数毫米，且能大量生产； 淀积薄膜结构完整，致密，与衬底粘附性好，且台阶覆盖性能较好。 天津工业大学 CVD薄膜的应用 浅槽隔离（STI，USG） 侧墙掩蔽（USG） 前金属化介质层（PMD，PSG、BPSG） 金属间介质层（IMD，USG、FSG） 钝化保护层（PD，Oxide/Nitride） 抗反射涂层（ARC，SiON） 天津工业大学 天津工业大学 浅槽隔离（STI） 天津工业大学 侧墙掩蔽 天津工