精修背景介绍.pptx

Rietveld精修基本概念 1 峰形函数 计算谱 晶体结构模型 实验谱-计算谱 实验谱 反复修改 差值最小 否 是 精修结束，得到晶体结构信息 粉末衍射的强度计算 2 结构因子 3 原子散射因子 4 吸收因子 5 吸收因子A 择优取向校正消光校正 6 择优取向修正 消光校正 放大因子多重因子洛伦兹偏振因子 7 S：放大因子 M：多重因子 全谱拟合的原理（1） 8 全谱拟合的原理(2) 9 峰形函数峰宽函数 10 本底函数Yib 11 精修参数 （1）结构参数： 晶胞参数 各原子的分数坐标 各原子位置的占有率 原子的各向同性（或各向异性）温度因子 定标因子 （2）峰形参数 峰形参数 峰宽参数 不对称参数 择优取向参数 本底参数 消光校正 零位校正 12 Rietveld精修策略 13 精修参数顺序问题 增加了被精修参数的数目 相同的结构参数比较 避免陷入伪极小 1.分布精修 2.约束的引入 键长键角的变化范围 3.不同数据组的联合精修 同一样品在不同实验条件下得到 4.真伪最小二乘方极小值的判断 (1)改变初始结构 (2)改变实现最小二法乘法的方法 5.混合物的Rietveld精修 精修参数顺序 定标因子和零位校正 本底参数和晶胞参数 原子坐标、占有率和各向同性温度因子 各种线形参数（如高斯峰宽中的U、V、W，洛伦兹峰宽中的X、Y、Z，PV函数中的比例因子η等） 各向异性温度因子 14 精修步骤 15 1. 采集衍射数据与设计初始结构 4. 计算衍射谱及作Rietveld精修 3. 初值的选择 2. 衍射指数标定 5. 修改初始结构 6. 精修终止的判断 各衍射峰指标化 点阵参数、原子坐标、占有率、峰形参数等，温度因子Bi先设为零 加入各种约束 峰形和峰宽的来源 16 峰形分析(1):样品结构峰形和仪器峰形的分离 17 峰形分析(2):从样品峰宽中将尺寸峰宽与应力峰宽分离 18 衍射数据的校正 衍射线位置的校正 外标法、内标法、外标和内标结合法 标样的选择： （1）稳定（2）具有高对称性（3）纯度高、缺陷少、且粒度适中 （4）对入射X射线吸收大（5）容易得到，价格低廉 现在一般公认最好的标样是硅粉（SRM640） 对小2θ角作校正的标样是云母（SRM675） 强度(I、Y)的校正 α-Al2O3板（SRM1976）一块边长为45mm，厚1.6mm的方形板，由直径为3-7μm、厚1-2μm的小晶片压制而成，是高度取向，其中含有少量的非晶态，板内很均匀，所得衍射强度可以很好地重复。 衍射峰形的校正 从衍射峰形中校正掉仪器峰形的办法：在对被研究样品的衍射峰进行反卷积求结构峰形时，可将标样的衍射峰形作为仪器峰形代入 19 针对CeO2体系的策略 想要得到的信息：晶格参数、晶粒尺寸分布、微应力、氧空位数量、CeZr中可能的相态以及各相的含量 20 J. I. Langford et al. J. Appl. Cryst. 33, 2000 21 A. Varez et al., J. Eur. Ceram. Soc.,2007 针对分子筛（Cu-SAPO-34和Cu-SSZ-13 ）的策略 想得到的信息：Cu的准确位置，Si/Al比，去除非晶态的影响 22 Andersen, Casper Welzel, et al.?IUCrJ?1.6 (2014): 0-0. Cu的位置： （1）参考文献设置初始位置 （2）以DFT模拟得出的结构为初始结构 目前的学习现状软件的选择 23 软件种类 软件的特点 GSAS 最常用，适于晶体结构精修，但较难掌握，对Expgui图形界面友好 Fullprof 磁性结构最佳，结构修正好，无图形界面 Maud 对定量分析、粒度-应力、织构分析好，解决织构/应力问题最佳 SIMPRO 程序隐含了直至1500K的硅标准峰位 Material Studio Reflex模块 很好的可视化效果，但是可调的参数不多 Rietquan 可对硅玻璃及非晶相进行定量分析，显微应力分析 Rietica 完全的GUI界面控制，可提供电子密度图 学习现状：理论基本掌握，但是不知如何在一款具体的软件中找到相应可调的参数，也不太清楚调节参数的先后顺序 Thanks!