薄膜材料复习.pptx

金刚石的优异特性 表3-1，与SiC、GaAs和Si的比较 特别注意：热膨胀系数、带隙、空穴迁移率、电阻率、热导率、硬度 表3-2、3-3、3-4、3-5，金刚石的主要力学、电学、热学和光学性能 碳基薄膜材料 Diamond-like carbon, DLC 类金刚石膜 晶体硅——非晶硅 金刚石——DLC（含有金刚石结构的非晶碳膜） 在某些要求沉积温度低、膜面光洁度高的场合，只有DLC胜任 五员环(P)和六员环(H)?的环数比 /home.php?mod=spaceuid=526286do=blogid=424490 研炭翁说碳(九) 碳还会带来新的惊喜吗? DLC基本性质 Ta（四面体） 低迁移率半导体，带隙可变（1-4eV） 具有室温下的光荧光效应和低电子亲和势 良好的抗磨、热导、红外透过和高硬度 低摩擦系数 性质主要由sp3:sp2决定 DLC的制备 比金刚石容易制备，衬底温度不高 无氢非晶碳膜（a-C film）：一般CVD制备 Ta-C film或非晶金刚石薄膜：一般PVD制备 DLC的电导 金刚石（宽禁带、绝缘）和石墨（零禁带、导电）的混合 sp3、sp2的混合 原子结构是σ和π键的混合 与温度的关系 低温：Mott的变程跳跃电导理论 室温：带尾定域态 高温：扩展态 沉积参数对DLC电导的影响 衬底温度越高，电导率上升 导电机制的主要因素应取决于sp2