薄膜材料第一讲.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * 非自发形核过程的临界自由能变化还可以写成两部分之积的形式 接触角θ越小，即衬底与薄膜的浸润性越好，则非自发形核的能垒降低得越多，非自发形核的倾向也越大。在层状模式时，形核势垒高度等于零。 自发形核过程的临界自由能变化 能量势垒降低的因子 薄膜的形核率 形核率：单位面积上，单位时间内形成的临界核心的数目。 简化模型：气相沉积过程中形核的开始阶段。 新相形成所需要的原子可能来自： (1)气相原子的直接沉积； (2)衬底表面吸附原子沿表面的扩散。 主要来源 表面吸附原子在衬底表面停留的平均时间τ 吸附原子在扩散中，会与其他原子或原子团结合。随着其相互结合成越来越大的原子团，其脱附可能性逐渐下降。 在衬底表面缺陷处，原子正常键合状态被打乱，吸附原子的脱附激活能Ed较高。这导致在衬底表面的缺陷处薄膜的形核率较高。 脱附激活能 表面原子的振动频率 迁移来的吸附原子通量ω应等于吸附原子密度na和原子扩散的发生几率 的乘积； 则 因此，得到 ★ 临界形核自由能变ΔG*的降低将显著提高形核率； 高的脱附能Ed、低的扩散激活能Es有利于气相原子在衬底表面的停留和运动，会提高形核率。 衬底温度和沉积速率对形核过程的影响 通过自发形核的情况下，薄膜沉积速率R与