计算机组成原理4.1-4.3.pptxVIP

第4章存储子系统本章需解决的主要问题：（1）存储器如何存储信息？（2）在实际应用中如何用存储芯片组成具有一定容量的存储器？1.存储系统的层次结构2.存储信息的原理（动态RAM、静态RAM、ROM）3.存储系统的组织的角度，讨论1）存储器的逻辑设计2）主存与CPU的连接3）DRAM的刷新4.磁表面存储器5.光存储器6.提高存储器系统性能的措施4.1概述一、存储系统的层次结构 存储系统：容量大、速度快和成本低但在同样技术条件下三者往往相互制约、相互矛盾，难以同时满足高速度、大容量、低成本的要求。因此，在一个存储系统常采用几种不同的存储器，构成多级存储体系，满足系统的要求。4.1概述一、存储系统的层次结构高小快1.存储器三个主要特性的关系4.1概述一、存储系统的层次结构（速度）（容量）1、主存储器（内存）主要存放CPU当前使用的程序和数据。速度快容量有限2、辅助存储器（外存）存放大量的后备程序和数据。速度较慢容量大3、高速缓冲存储器Cache存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序和数据。速度很快容量小（1）主存的基本组成1、主存储器（内存）（2）主存和CPU的联系1、主存储器（内存）（3）基本概念1）位：二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位。2）存储字：一个二进制数由若干位组成，当这个二进制数作为一个整体存入或取出时，这个数称为存储字。3）存储单元：存放存储字或存储字节的主存空间。4）地址：存储单元的编号称为地址。5）地址编排方案：存储单元是CPU对主存可访问操作的最小存储单位。CPU访存时有字节编址和字编址两种。1、主存储器（内存）二、物理存储器和虚拟存储器主存-外存层次为虚拟存储提供条件。增大容量。将主存空间与部分外存空间组成逻辑地址空间；CPU主存外存用户使用逻辑地址空间编程；操作系统进行有关程序调度、存储空间分配、地址转换等工作。三、存储器的分类1.物理存储机制（存储介质）（1）半导体存储器利用双稳态触发器存储信息（SRAM静态存储器）。依靠电容存储电荷存储信息（DRAM动态存储器）。作主存、高速缓存。（2）磁表面存储器容量大，长期保存信息，（3）光盘存储器利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。速度慢。非破坏性读出，作外存。速度慢。利用光斑的有无表示信息。容量很大，非破坏性读出，长期保存信息，作外存。2.存取方式随机存取：可按地址访问存储器中的任一单元，（1）随机存取存储器访问时间与单元地址无关。RAM:MROM：可读可写ROM:只读不写PROM：用户不能编程用户可一次编程EPROM：用户可多次编程EEPROM：用户可多次编程存取周期或读/写周期（ns）速度指标：总线周期时钟周期的若干倍作主存、高速缓存。SRAM:DRAM:（2）顺序存取存储器（SAM）访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。等待操作平均等待时间读/写操作两步操作速度指标（ms）数据传输率（字节/秒）（3）直接存取存储器（DAM）访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。三步操作定位（寻道）操作等待（旋转）操作读/写操作速度指标平均定位（平均寻道）时间平均等待（平均旋转）时间数据传输率（ms）（ms）（位/秒）（1）主存储器（内存）（2）辅助存储器（外存）（3）高速缓冲存储器Cache3、主存储器在系统的位置(2)存储速度四、存储器系统的关键特性(1)存储容量(3)存储器的带宽或数据传输率主存存放二进制代码的总数量读出时间写入时间存储器的访问时间读周期写周期位/秒4.2半导体存储原理与存储芯片工艺双极型MOS型TTL型ECL型速度很快、功耗大、容量小电路结构PMOSNMOSCMOS功耗小、容量大工作方式静态MOS动态MOS存储信息原理静态存储器SRAM动态存储器DRAM（双极型、静态MOS型）：依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。（动态MOS型）：依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。功耗较小,容量大,速度较快,作主存。（静态MOS除外）二、静态RAM芯片（SRAM）1.静态MOS存储单元1）组成T1、T3：MOS反相器Vcc触发器T2、T4：MOS反相器T5、T6：控制门管ZZ：字线，选择存储单元位线，完成读/写操作WW：2）定义“0”：T1导通，T2截止；“1”：T1截止，T2导通。（3）工作T5、T6Z：加高电平，高、低电平，写0/1。（4）保持只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。导通，选中该单元。电流，读0/1。Z：加低电平，T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。地址端：（2）内部寻址逻辑A9～A0（入）数据端：D3～D0（入/出）控制端：片选CS