磁阻效应课件.pptVIP

一、概 述 二、实验目的 三、实验原理 四、实验仪器介绍 五、实验内容 六、实验操作步骤 七、实验数据记录 思考题： 数据处理示例： 根据表1数据画图： 对B0.12T的8组数据用最小二乘法处理： 由上面拟合可知在B0.12T时磁阻变化率ΔR/R(0)与磁感应强度B成一次函数关系：ΔR/R(0)=5.35B-0.59 。 * 辽宁科技大学物理实验中心 * * 大学物理实验 Magnetoresistive Effect （一）、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻(Magnetoresistan-ce)。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。 磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的。它在金属中可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。 （二）、磁阻应用：目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。 　　磁阻器件的特点：灵敏度高、抗干扰能力强。 　　在众多的磁阻器件中，锑化铟（InSb）传感器最为典型，它是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器件，在生产生活应用广泛。 （三）、磁阻分类：若外加磁场与外加电场垂直，称为横向