09高电班电力电子技术试卷.docVIP

2012—2013学年第学期试 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT是 和 的复合管。 3.整流是把 电变换为 电的过程；逆变是把 电变换为 电的过程。 4.在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为______,用 表示。 二、单项选择题（每题1分，共26分） 1、普通晶闸管管心由（ ）层杂质半导体组成。 A、1 B、2 C、3 D、4 2、单向全波可控整流电路，若输入电压为u2，则输出平均电压为（ ）。 A、u2 B、0.9u2 C、0.9u2 D、0.45u2 3、KP20-10表示普通反向阻断型晶闸管的通态正向平均电流是（ ）。 A、20A B、2000A C、10A D、1000A 4、欲使导通晶闸管关断，错误的作法是（ ）： A、阳极阴极间加反向电压 B、撤去门极电压 C、将阳极阴极间正压减小至小于维持电压 D、减小阴极电流，使其小于维持电流 5、普通晶闸管由中间P层引出的电极是（ ）。 A、阳极 B、门极 C、阴极 D、无法确定 6、晶闸管外部的电极数目为（ ）。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 7、普通晶闸管管心具有（ ）PN结。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 8、晶闸管硬开通是在（ ）情况下发生的。 A、阳极反向电压小于反向击穿电压 B、阳极正向电压小于正向转折电压 C、阳极正向电压大于正向转折电压 D、阴极加正压，门极加反压 9、晶闸管导通必须具备的条件是（ ）。 A、阳极与阴极间加正向电压 B、门极与阴极间加正向电压 C、阳极与阴极间加正压，门极加适当正压 D、阳极与阴极间加反压，门极加适当正压 10、晶闸管具有（ ）性。 A、单向导电 B、可控单向导电性 C、电流放大 D、负阻效应 11、KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压是（ ）。 A、10V B、1000V C、20V D、2000V 12、室温下，阳极加6伏正压，为保证可靠触发所加的门极电流应（ ）门极触发电流。 A、小于 B、等于 C、大于 D、任意 13、在晶闸管寿命期内，若浪涌电流不超过6πIT（AV），晶闸管能忍受的次数是（ ）。 A、1次 B、20次 C、40次 D、100次 14、单结晶体管触发电路产生的输出电压波形是（ ）。 A、正弦波 B、直流电 C、尖脉冲 D、锯齿波 15、如图所示单结晶体管振荡电路，决定控制角α的组件是（ ）。 A、Re B、Re和Ce C、RB2 D、RB1 16、单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值 取决于（ ）。 A、发射极电压Ue B、电容C C、电阻rb D、分压比η 17、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管（ ） 的工作特性设计的。 A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域 18、晶体管触发电路适用于（ ）的晶闸管设备中。 A、输出电压线性好 B、控制电压线性好 C、输出电压和电流线性好 D、触发功率小 19、同步电压为锯齿波的晶体管触发电路，以锯齿波电压为基准，在串入（ ）控制晶体管状态。 A、交流控制电压 B、直流控制电压 C、脉冲信号 D、任意波形电压 20、关于同步电压为锯齿波的晶体管触发电路叙述正确的是（ ）。 A、产生的触发功率最大 B、适用于大容量晶闸管 C、锯齿波线性度最好 D、适用于较小容量晶闸管 21、晶体管触发电路输出的触发功率与单结晶体管触发电路相比（ ）。 A、较大 B、较小 C、一样 D、无法确定 22、单向半波可控整流电路，变压器次级电压为20V，则整流二极管实际承受的最高反向电压为（ ）。 A、20V B、20V C、18V D、9V 23、单向半波可控整流电路，若负载平均电流为10mA，则实际通过整流二极管的平均电流为（ ）。 A、5A B、0 C、10mA D、20mA 24、若将半波可控整流电路中的晶闸管反接，则该电路将（ ）。 A、短路 B、和原电路一样正常工作 C、开路 D、仍然整流，但输出电压极性相反 25、单向半波可控整流电路，若变压器次级电压为u2，则输出平均电压的最大值为（ ）。 A、u2 B、u2 C、u2 D、0.45u2 三、判断题（每题1分，共15分） 1、（ ）给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。 2、（ ）单向全波可控电路，晶闸管导通角θ越小，输出平均电压越高。 3、（ ）单向可控整流电路中，二极管承受的最大反向电压出现在晶闸管导通时。 4、（ ）在单结晶体管触发电路中，单结晶体管工作在关状态。 5、（ ）同步电压为