学习情境7场效应管的识别与检测答辩.ppt

学习情境7 场效应管的识别与检测 教学内容 7.1 场效应管的识别与检测 7.2 晶闸管的识别与检测 7.3 单结晶体管的识别与检测 7.1 场效应管（单极型晶体管） 7.1 场效应管（单极型晶体管） 7.1.1 结型场效应管 图7.1 结型场效应管（N沟道） 7.1.1 结型场效应管 结型场效应管（P沟道） 7.1.1 结型场效应管 图7.2 JFET共源接法 图7.2 夹断电压 图7.2 可变电阻特性和恒流特性 图7.3 转移特性 图7.4 漏极特性 漏极特性三个区域的特点: 7.1.2 绝缘栅型场效应管 图7.5 N沟道增强型MOS管的结构和符号 3、工作原理 图7.6 N沟道增强型MOS管工作原理1 3、工作原理 图7.6 N沟道增强型MOS管工作原理2 3、工作原理 图7.6 N沟道增强型MOS管工作原理3 图7.7 N沟道增强型MOS管特性 1.4.2 绝缘栅型场效应管 图7.8 N沟道耗尽型MOS管的结构和符号 图7.9 N沟道耗尽型MOS管的特性 1.4.2 绝缘栅型场效应管 P沟道增强型MOS管的结构和符号 图7.10 P沟道增强型MOS管的特性 1.4.2 绝缘栅型场效应管 P沟道耗尽型MOS管的结构和符号 图7.11 P沟道耗尽型MOS管的特性 【例7.1.1 】 图1 【例7.1.2 】 图2 【例7.1.2 】答案 7.1.3 场效应管的主要参数 7.1.3 场效应管的主要参数 7.1.4 场效应管的检测与选用 7.1.4 场效应管的检测与选用 7.1.4 场效应管的检测与选用 7.1.4 场效应管的检测与选用 7.1 节练习1 7.1 节练习2 一、用指针式万用表对场效应管进行判别?（2）用测电阻法判别场效应管的好坏 具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。 /view/f6b27d48be1e650e52ea99bc.html /dianzichangshi/200707155421.html /doc/4295913.html GDSSPT 广东.松山 模拟电子技术 GDSSPT 广东.松山 7.1 场效应管的识别与检测 本节教学目标 1.掌握场效应管的类型、符号、伏安特性和主要参数。 2.了解场效应管的结构、工作原理、特性曲线。 场效应管与晶体三极管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 其特点为： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 场效应管与晶体三极管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管: JFET 绝缘栅型场效应管: MOS 场效应管有两种: 一 、结构 N 基底 ：N型半导体 P+ P+ 两边是高浓度P+区 G栅极 S源极 D漏极 导电沟道 N沟道JFET的符号 D G S D G S 一 、结构 P N+ N+ G栅极 S源极 D漏极 P沟道JFET的符号 D G S D G S 箭头表示栅结（PN结）的方向，从P指向N。 二 、工作原理（以N沟道为例） N P+ P+ G S D N iD RD VGG VDD 以源极为公共端，共源接法。 GD、GS间均加反向电压，两个PN结均反偏。 |UGS|增大，耗尽层变宽，使导电沟道变窄，沟道电阻增大，电流ID减小。 UDS=0时 二 、工作原理（以N沟道为例） N P+ P+ G S D iD RD VGG VDD UDS=0时 P+ P+ |UGS|继续增大到一定值时UGS(off) （夹断电压）,两个PN结的耗尽层碰到一起，导电沟道被夹断。这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。 二 、工作原理（以N沟道为例） |UGS||UGS(off) |且UDS0时 N G S D iD RD VGG VDD P+ P+ P+ P+ P+ P+ UDS从0V开始增加时，漏极电流iD从