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湿制程课制程简介 湿制程工艺 化学清洗 显影 蚀刻 去膜 化学清洗 流程图 化学清洗 化学清洗作用原理： Na2S2O8+Cu=Na2SO4+CuSO4 H2SO4+CuO=CuSO4+H2O 微蚀槽控制点： SPS：40±5 g/L 硫酸：4%±1% 铜离子：＜20 g/L 走速：微蚀速率20uinch DES流程 流程图： DES流程 显影作用原理： 感光膜中未曝光部分的活性基团与稀碱溶反应生成可溶性物质而溶解下来；曝光部分的干膜不被溶胀。 蚀刻作用原理： 3Cu+NaClO3+6HCl=CuCl2+NaCl+3H2O 剥膜作用原理： 剥膜剂与干膜作用，把干膜裂解成小块后再剥除下来。 显影 显影 显影机 pH值、有效浓度与总浓度 显影点 喷嘴排列方式 显影机 感光膜中未曝光部分的活性基团与稀碱溶液反应生成可溶性物质而溶解下 来，显影时活性基团羧基一COOH与无水碳酸钠溶液中的Na+作用，生成亲水性集团一 COONa。从而把未曝光的部分溶解下来，而曝光部分的干膜不被溶胀。 显影参数 显影槽 碳酸钠：10±2g/L PH值：11.0?0.4 喷压：25?5PSI 温度：30 ?2℃ 显影速度：根据段点（ 运行一块线路板通过显影机观察“Break Point”位于50~60%处） 断点的测定 运行一块线路板通过显影机观察“Break Point”位于50~60%处（根据不同厚度干膜来调节； 显影点控制 显影点离显影段出口太近，未聚合的抗蚀膜 得不到充分的清洁显影，抗蚀剂的残余可能留在板面上。 显影点离显影段的入口太近，已 聚合的于膜由于与显影液过长时间的接触，可能被浸蚀而变得发毛，失去光泽。 通常显影点控 制在显影段总长度的50％一60％之内。 常见缺陷的预防和控制 蚀刻 蚀刻参数 铜离子：150 ±30g/L 盐 酸：2.1±0.3N 比重：1.3±0.02 喷压：30?15PSI 温度：50 ?2℃ 走速：蚀刻断点控制在70~80% 常见缺陷的预防和控制 常见缺陷图示 不良板 去膜 去膜 去膜使用有机去膜液，温度50一60℃，去膜方式为机器喷淋。 机器喷淋去膜生产效率高，但应注意检查喷嘴是否堵塞，在去膜溶液中必须加入消泡剂。 去膜参数 ME去膜液：10 ±2% 温度：50?2℃ 压力：25?5PSI 走速：去膜断点控制在50~60% 常见缺陷 THE END！ * * 脱脂 水洗 微蚀 水洗 水洗 烘干 酸洗 ，表面分析及测试 化学清洗的目的：获得一层洁净、新鲜的铜面。使铜面具有一定的粗糙度。 ? 目视 – 针对抗氧化剂;无均一性 ?水破实验 ?显微镜 ?浸锡实验 – 侦测有机残留物;涂布转换 ?浸于棕氧化槽 - 侦测残留铬 显影 水洗 去膜 蚀刻 水洗 水洗 烘干 Breakpoint Schematic 显影点示意图 Proper Fan Spray Pattern 扇形喷嘴的排列方式 Use of Cone Nozzles 圆锥形喷嘴的排列方式 换液时（三小时抽样） 每批 每班上班点检 频率 分析调整 检视温度、压力表 定期点检 断点测试 药液浓度不够 温度、压力不对 喷嘴堵塞 显影速度不对 显影不良 预防和控制 产生原因 缺陷名称 每时每刻 每批 每班点检 月保养后 周保养清洁 每批 频率 AQUA系统显示是否正确 检视温度、压力表 定期点检 断点测试 清洁滚轮 首检确定蚀刻速度 药液浓度不够 温度、压力不对 喷嘴堵塞 蚀刻速度不对 异物反占 蚀刻速度过快 蚀刻不洁 铜皮多余 T形铜 预防和控制 产生原因 缺陷名称 T形铜 正常线路 * * * *