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失效分析基础 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 一、失效分析术语 二、分析工作进行前，需了解的内容 二极管电特性失效与伏-安特性表现： 哪些关键参数的失效与并联电阻密切相关？ DIODE：BV/VZ, IR, ZZ MOSFET：BVDSS, BVGSS, IDSS, IGSS, … BJT：BVCEO, ICEO, IEBO, … SCR：IDRM/IRRM 二、分析工作进行前，需了解的内容 二极管电特性失效与伏-安特性表现： Shaking VR IR Double breakdown VR IR 三、失效分析基本程序与原则 1、数据的收集与整理 (1) 样品的失效模式、失效地点。 (2) 其它的一些背景资料：如失效比率、应用场合、使用条件或时间等。 2、外观检查 (1) 外部检查：使用显微镜观察的方法，验证失效器件与标准、规范的一致性，寻找失效的疑点。并尽可能使用照相机记录下相关信息和疑点。 (2) 内部检查：对于透明器件，可以直接在显微镜下观察封装内部焊接状况。 3、观察失效现象，验证失效模式 使用参数测试机或晶体管曲线仪验证所报告的失效模式。 失效分析基本程序： 三、失效分析基本程序与原则 4、假设失效机理 确认其失效模式后，根据外观检查所有看到的现象、在曲线仪上所表现的特性、和所提供的样品背景资料，可以对其失效机理作出假设。 5、失效机理的认定与验证 (按各种分析技术逐级定位。从外部到内部、从非破坏性到半破坏性、直至破坏性检测与分析) 如：外封装清洗、高温烘烤、X-Ray、C-SAM、打开封装、微探针探测、晶片反处理(如去除银钮、硅片钝化层等)、切面分析等。 6、总结 (整理数据，形成报告) 失效分析基本程序 (续…)： 三、失效分析基本程序与原则 1、先方案 后操作 2、先光学 后电学 3、先面 后点 4、先静态 后动态 失效分析的一些原则： 5、先非破坏性 后破坏性 6、先公用 后专用 7、先简单 后复杂 8、先主要 后次要 四、失效分析技术与常用设备 失效验证 (Failure Verification) 光学显微镜检查 (Optical Microscopy Inspection) X射线照相术 (X-ray Radiography) 超声波扫描显微镜 (SAM – Scanning Acoustic Microscope) 红外热像仪 (Infrared Thermal Imaging) 开封 (Decapsulation) 微探针 (Micro-probing) 切面分析 (Cross Sectioning) 扫描电子显微镜/能量弥射X射线能谱分析 (SEM/EDX) 四、失效分析技术与常用设备 失效验证 (Failure Verification)： 　　确认样品是否真正失效的一个过程。失效验证在失效分析中是非常重要的一步。通常使用以下两种方法来验证样品的电性失效： 　　(1) 使用自动测试设备(ATE)：如：FETTest、TESEC、Poworld等测试机。 使用自动测试设备有两个好处： 1) 可以证实失效器件与生产标准/规格的相关性； 2) Datalog (可以读取/记录失效器件各个参数的数据)。 四、失效分析技术与常用设备 失效验证 (Failure Verification)： 　　(2) 使用晶体管曲线仪/图示仪(Curve Tracer)：最常用的Curve Tracer 如：Tektronix 576 或 370B。 晶体管曲线仪在失效分析开始阶段和失效验证中是非常有帮助的一项工具。使用晶体管曲线仪可以非常直观的观察器件的伏-安特性关系。 (1) 可以非常完整地显示器件整个特性的伏-安关系。 (2) 可以很快识别电性失效所表现出来的异常伏-安特性关系。 四、失效分析技术与常用设备 失效验证 (Failure Verification)： 晶体管曲线仪/图示仪(Curve Tracer) Tektronix 576: 1500V/10A max. Tektronix 370B: 2000V/20A max. 四、失效分析技术与常用设备 失效验证 (Failure Verification)： Tektronix 370B COLLECTOR SUPPLY Controls 集电极电源控件 DISPLAY Controls 显示控件 STEP GENERATOR Controls 阶梯波发生器控件 四、失效分析技术与常用设备