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* 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 * 1.4.3 场效应晶体管的参数 1. 开启电压VGS(th) 增强型场效应管参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 2. 夹断电压VGS(off) (或VP) 结型、耗尽型场效应管参数，VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应管参数，当VGS=0时所对应的漏极电流。 一、直流参数 * 4. 输入电阻RGS(DC) 栅源输入电阻的典型值， 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 1. 低频跨导gm 栅压对漏极电流的控制作用，与晶体三极管的?对应 二、交流参数 2. 极间电容 Cgs(Cgd):1~3pF, Cds:0.1~1pF * 3. 最大漏极功耗PDM PDM= VDS ID，与双极型三极管的PCM相当。 2. 击穿电压 三、极限参数 1.最大漏极电流 IDM 1.4.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽