导电物理-半导体材料.ppt

在一定的温度下，半导体中的电子处于一种热平衡状态 激发：价带电子吸收晶格振动的热能后，从价带跃迁到导带的过程（使载流子增多） 复合：电子从导带跃迁到价带，与价带中空穴复合 （导致载流子减少） Fermi能级 在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律 根据量子统计理论，能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率f(E)为 Fermi能级含义 杂质半导体的载流子浓度 一、电子占据施主能级的几率 杂质半导体中，施主杂质和受主杂质要么处于未离化的中性 态，要么电离成为离化态。 以施主杂质为例，电子占据施主能级时是中性态，离化后成 为正电中心。因为费米分布函数中一个能级可以容纳自旋方向相 反的两个电子，而施主杂质能级上要么被一个任意自旋方向的电 子占据(中性态)，要么没有被电子占据(离化态)，这种情况下电子 占据施主能级的几率为 如果施主杂质浓度为ND ，那么施主能级上的电子浓度为 而电离施主杂质浓度为 上式表明施主杂质的离化情况与杂质能级ED和费米能级EF的相对位置有关： 如果ED-EFk0T，则未电离施主浓度nD≈0，而电离施主浓度nD+ ≈ ND，杂质几乎全部电离。 如果费米能级EF与施主能级ED重合时，施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。 二、杂质半导体载流子浓度（n型） n型半导体中存在着带负电的导带电子(浓度为n0)、带正电的 价带空穴(浓度为p0)和离化的施主杂质(浓度为nD+)，因此电中性 条件为 即 将n0、p0、nD+各表达式代入可得到 一般求解此式是有困难的。 实验表明，当满足Si中掺杂浓度不太高并且所处的温度 高于100K左右的条件时，那么杂质一般是全部离化的，这样 电中性条件可以写成 与 n0p0＝ni2 联立求解，杂质全部离化时的导带电子浓度n0 一般Si平面三极管中掺杂浓度不低于5×1014cm-3，而室温下 Si的本征载流子浓度ni为1.5×1010cm-3，也就是说在一个相当宽的 温度范围内，本征激发产生的ni与全部电离的施主浓度ND相比是 可以忽略的。这一温度范围约为100～450K，称为强电离区或饱 和区，对应的电子浓度为 强电离区导带电子浓度n0＝ND，与温度几乎无关。 通过变形也可以得到 一般n型半导体的EF位于Ei之上Ec之下的禁带中。 EF既与温度有关，也与杂质浓度ND有关： 一定温度下掺杂浓度越高，费米能级EF距导带底Ec越近； 如果掺杂一定，温度越高EF距Ec越远，也就是越趋向Ei。 下图是不同杂质浓度条件下Si中的EF与温度关系曲线。 n型半导体中电离施主浓度和总施主杂质浓度两者之比为 将强电离区的式 代入上式得到 可见 越小，杂质电离越多。所以掺杂浓度ND低、温 度高、杂质电离能ΔED低，杂质离化程度就高，也容易达到强电 离，通常以I+=nD+/ND=90%作为强电离标准。经常所说的室温下 杂质全部电离其实忽略了掺杂浓度的限制。 杂质强电离后，如果温度继续升高，本征激发也进一步 增强，当ni可以与ND比拟时，本征载流子浓度就不能忽略了， 这样的温度区间称为过渡区。 就可求出过渡区以本征费米能级Ei为参考的费米能级EF 处在过渡区的半导体如果温度再升高，本征激发产生的ni就会 远大于杂质电离所提供的载流子浓度，此时，n0ND，p0ND， 电中性条件是n0=p0，称杂质半导体进入了高温本征激发区。在高 温本征激发区，因为n0=p0，此时的EF接近Ei。 可见n型半导体的n0和EF是由温度和掺杂情况决定的。 杂质浓度一定时，如果杂质强电离后继续升高温度，施主杂质对载流子的贡献就基本不变了，但本征激发产生的ni随温度的升高逐渐变得不可忽视，甚至起主导作用，而EF则随温度升高逐渐趋近Ei。 半导体器件和集成电路就正常工作在杂质全部离化而本征激发产生的ni远小于离化杂质浓度的强电离温度区间。 在一定温度条件下，EF位置由杂质浓度ND决定，随着ND的增加，EF由本征时的Ei逐渐向导带底Ec移动。 n型半导体的EF位于Ei之上，EF位置不仅反映了半导体的导电类型，也反映了半导体的掺杂水平。 下图是施主浓度为5×1014cm-3 的n型Si中随温度的关系曲线。 低温段(100K以下)由于杂质不完全电离，n