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名词解释CPU、MPU(Micro processor Unit)存储器：ROM（只读，程序代码和常数） RAM：随机存储器（程序代码和数据）I/O Interface：连接外设（输入与输出）BUS：总线(体系结构：字长，容量，控制功能和构成 AB,DB,CB) MCU：微控制器（学名单片机，含CPU,ROM,RAM,I/O接口）MCS-51核的应用基本的内核：8位CPUROM（2~64k），RAM(128/256字节)定时器（2~3个）串行通信数据口并行I/O口扩展：16位CPU模拟信号输入/输出SOC发展方向（IP核）堆栈和堆栈指示器堆栈是在存储器中分配的、具有连续地址的一片存储区域。FILO(First In Last Out)CPU按堆栈指示器SP访问堆栈中的内容压栈: 先调整SP中的地址,在存入新的数据到栈顶位置;弹栈:先从栈顶取数,再反向调整SP地址内容.SP始终指向栈顶位置.内存地址与高级语言变量的关系变量（数组）依据其类型占据一定的字节数char/unsigned char 1字节int/unsigned int 2 字节long/unsigned long/float 4字节编址是按字节为单位，一个字节占一个地址数组所占的地址单元=数组长度×数据类型字节数存储模式big endian 变量的最高位字节先行分配…little endian 变量的最低位字节先行分配… ROM （Read Only Memory）只读指运行期间只读,信息不易挥发，掉电也不丢失按初始信息的写入方法和技术进步，可以分为以下几类：掩膜ROM: 半导体制造过程的最后一道掩膜工艺，根据用户提交的存储内容决定MOS管的连接方式，制作成芯片后用户不能更改。掩膜适合于成熟大批量生产；PROM（Programmable Read Only Memory）出厂时空白,未存储信息，采用通用编程器，将程序或数据一次性写入，以后无法更改，现在PROM实际应用不多；EPROM（Eraseable Programmable Read Only Memory）是可擦除、可编程只读存储器。UVEPROM 紫外线擦除EEPROM电擦除(目前实际应用较多)RAM （Random Access Memory）读取,原数不变; 写入,原数被新数覆盖RAM存放数据,程序代码,也可分配为堆栈按存储原理RAM可以分为静态和动态两类SRAM(Static RAM) 每一位是个触发器,双稳态结构 写入SRAM,如果电源正常，不会自行挥发 但在同样的芯片体积下，集成度较低DRAM(Dynamic RAM〕依靠MOS管的极间电容存储信息，集成度高,动态RAM的存储容量大. 由于电荷容易泄漏，所以需要周期性刷新，刷新电路通过“读出——写入”电路来再生极间电容上的电荷。一般2ms刷新一次。集成度高。新型存储器OTP ROM〔One Time Programmble ROM〕FLASH ROM也即闪存，快速编程的EEPROM。在MP3，CF卡，U盘中的芯片基于FLASH的ISP(In System Program)和IAP(In Application Program)技术，可以远程升级嵌入式系统的程序。串行FLASH ROM控制简单、容量大，价格低廉，用来存储工作参数等。动态RAM方面(内存条技术)早期的快速页方式FPM（Fast Page Mode），70ns；可扩展数据输出方式EDO（Extended Data Output）可达60ns；同步DRAM，即SDRAM（Synchronous DRAM）能与系统总线时钟同步工作，读写速度可达10nS，甚至7nS。中断中断（Interrupt ） 因事件发生，程序中止正常的执行流程，转入到该事件的处理程序。中断服务例程（ISR,Interrupt service routine） 完成事件处理的代码,称为中断服务过程ISR。中断返回 事件处理完毕（ISR执行完毕）返回正常的流程。与子程序调用的区别调用是程序主动的，响应事件是被动的。无法预知事件何时发生，与程序流程是异步的。都会形成断点，并需要保存，以便返回，中断的断点是随机的。关于DMA的应用MCS-51 CPU是否支持DMA? 答：本身不支持。MCS-51的CPU不能放弃对其总线的控制权，自身也不能挂起；哪些场合使用DMA? 答：当输入/输出为高速设备时，非DMA方式数据存取使用程序循环（每个数据的处理包含硬件操作、指针修改、结束判断等）；DMA方式完成这些工作是依靠硬件的，能发挥高速设备的效率。以FIFO缓冲队列为媒介的DMA： 1 硬件将高速设备连接到FIFO的一端，CPU为另一端。不要求CPU出让总线，CPU与DMA异步工作； 2 ADI的BLACK Fin 系列MCU自带多媒体