一般何时走阻抗线？为何要是50欧呢？.docVIP

匹配电路有最耐压的匹配（60欧姆），功率传输最大的匹配（30欧姆），损害最小的匹配（76欧姆），以上三种均是以空气为介质，由公式计算得出的。实际应用中50欧姆的匹配兼顾了耐压，功率传输和损耗等优势，而75欧姆匹配由于其损耗最小，所以多用于远距离传输。两者跟频率好象没多大关系，不知楼主是否看明白了？因为在RF领域中，很多的仪器设备的端口都是50欧的。如果阻抗线不设计成50欧，就会给测试带来很大的麻烦。举个例子：对于低频信号放大器来说，常见的是高输入阻抗和低输出阻抗。但对高频信号来说，我们一般要求i/o impedance都在一个相匹配的值，这个值是50，75，300或600都是可以的，关键是对应的RF器件阻抗匹配才能达到最大传输效率。 目前全球最常见的匹配值是50欧姆，它的源头不是用楼上几位的公式算出来的，而是二次大战时美国海军使用的无线通讯机天线恰为50欧，从此流行开并成为当今业界标准。（数年前我的导师拿这个做面试后的附加题，faintZO的典型值为50Ω或75Ω。为什么取这些值？因为能兼顾同轴电缆的功率管理和最低衰减点。大多数射频和微波设备及系统趋向于使用50Ω。广播和有线电视则使用75Ω。?? 对于宽度确定的走线，3个主要的因素会影响PCB走线的 阻抗。首先，是PCB走线近区场的EMI（电磁干扰）和这个走线距参考平面的高度是成一定的比例关系的，高度越低意味着辐射越小。其次，串扰会随走线高度 有显著的变化，把高度减少一半，串扰会减少到近四分之一。最后，高度越低阻抗越小，不易受电容性负载影响。所有的三个因素都会让设计者把走线尽量靠近参考平面。阻止你把走线高度降到零的原因是，大多数芯片驱动不了阻抗小于50欧姆的传输线。（这个规则的特例是可以驱动27欧姆的Rambus，以及National的的BTL系列，它可以驱动17欧姆）并不是所有的情况都是用50欧姆最好。例如，8080处理器的很老的NMOS结构，工作在100KHz，没有EMI，串扰和电容性负载的问题，它也不能驱动50欧姆。对于这个处理器来说，高的阻抗意味着低功耗，你要尽可能的用细的，高的这样有高阻抗的线。纯机械的角度也要考虑到。例如，从密度上讲，多层板层间距离很小，70欧姆阻抗所需要的线宽工艺很难做到。这种情况，你应该用50欧姆，它的线宽更加宽，更易于制造。同轴电缆的阻抗又是怎么样的呢？在RF领域，和PCB中考虑的问题不一样，但是RF工业中同轴电缆也有类似的阻抗范围。根据IEC的出版物 （1967年），75欧姆是一个常见的同轴电缆阻抗标准，因为你可以和一些常见的天线配置相匹配。它也定义了一种基于固态聚乙烯的50欧姆电缆，因为对于 直径固定的外部屏蔽层和介电常数固定为2.2（固态聚乙烯的介电常数）的时候，50欧姆阻抗趋肤效应损耗最小。你可以从基本的物理学来证明50欧姆是最好的，电缆的趋肤效应损耗L（以分贝做单位）和总的趋肤效应电阻R（单位长度）除以特性阻抗Z0成正比。总 的趋肤效应电阻R是屏蔽层和中间导体电阻之和。屏蔽层的趋肤效应电阻在高频时，和它的直径d2成反比。同轴电缆内部导体的趋肤效应电阻在高频时，和他的直 径d1成反比。总共的串联电阻R，因此和 1/d2 +1/d1 成正比。综合这些因素，给定d2和相应的隔离材料的介电常数ER，你可以用以下公式来减少趋肤效应损耗。 在任何关于电磁场和微波的基础书中，你都可以找到Z0是d2，d1和ER的函数 把公式2带入公式1中，分子分母同时乘以d2,整理得到 公式3分离出常数项 /60 * 1/d2 ,有效的项 1+d2 /d1 /ln d2 /d1 确定最小点。仔细查看公式三公式的最小值点仅由d2 /d1控制，和ER以及固定值d2无关。以d2 /d1为参数，为L做图，显示d2 /d1 3.5911时，取得最小值。假定固态聚乙烯的介电常数为2.25，d2 /d1 3.5911得出特性阻抗为51.1欧姆。很久之前，无线电工程师为了方便使用，把这个值近似为50欧姆作为同轴电缆最优值。这证明了在50欧姆 附近，L是最小的。但这并不影响你使用其他阻抗。例如，你做一个75欧姆的电缆，有着同样的屏蔽层直径和绝缘体，趋肤效应损耗会增加12%。不同的绝缘 体，用最优d2 /d1比例产生的最优阻抗会略有不同。评论：?花了一个多小时翻译了这篇文章，以前一直都说阻抗匹配啊，什么50欧姆，75欧姆啊，但是确无法说出原因来。凡是最会是有原因的，这篇文章很好的解释了用50欧姆的原因，由来因为这和传输线的衰减和反射有关系，传输线在70几欧的时候，衰减达到最小，然而在反射时的造成的能量损失最小是在30几欧的时候，所以经计算为了平衡这两者的关系，就取了50欧。30 50 70Receiver: attenuation of the coaxial cab