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- 2016-08-23 发布于河南
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Cmos器件
Cmos器件组员:XXXXXXXXX报告内容背景介绍基本原理基本过程现有应用未来发展报告内容背景介绍基本原理基本过程现有应用未来发展选题背景激光技术1.CMOS图像传感器;2.组员情况。光电技术光学测量报告内容背景介绍基本原理基本过程现有应用未来发展光电效应光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象,在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电 。光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现,而正确的解释为爱因斯坦所提出。光电效应按照光生载流子的理论,光子进入到半导体中,当光子能量超过带隙能量时就会产生电子空穴对。在电场的作用下,电子和空穴会被分开,其中电子会在电势阱中被收集,空穴则会被遗弃。光在入射到感光区的时,会发生光电效应,也就是把光信号转换成电信号,半导体价带中受束缚的电子在接受光的能量后会跃迁到导带,成为能够自由移动的电子。可见光范:400~700nm人体红外波长 λ=9.65μm时,Eph=0.13eV可见光λ=700时,Eph=1.77eV硅的能带图近红外λ=1100时, Eph=1.12eVCMOS的产生1969年,贝尔实验室发明CCD1967年CMOS诞生1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功,80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件.CMOS 英文全名 Complementary
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