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光敏三极管3DU5参数资料1光电三极管特性曲线：3三极管 8550 和 8050 封装定义及参数71815三极管参数10A1015参数.13光敏三极管3DU5参数资料光敏三极管(光电三极管)(Photo Transister)以接受光的信号而将其变换为电气信号为目的而制成之晶体管称为光敏三极管。最普遍的外形如图1 所示。罐形封闭(Can seal)的光敏三极管多半将半导体晶方装定在TO-18或TO-5封装引脚座后，利用附有玻璃之凸透镜及单纯之玻璃窗口之金属罩封闭成密不透气状态。/838电子罐封闭型(玻璃窗口) 罐封闭型(玻璃透镜)树脂封入型(平导线透型) 树脂封入型(单端窗)图1作用原理光敏三极管一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。在此状态下，光线入射于基极之表面时，/受到反偏压之基极、集电极间即有光电流(Iλ)流过，发射极接地之晶体管的情形也一样，电流以晶体管之电流放大率(hfe)被放大而成为流至外部端子之光电流(Ic)，为便于了解起见，请参照图2所示。/ab126计算公式大全图2 光敏三极管的等效电路达林顿晶体管工作情况；电流再经过次段之晶体管的电流放大率被放大，其结果流至外部导线之光电流即为初段之基极、集极间所流过之光电流与初段及后段之晶体管的电流放大率三者之积。种类由外观上如图1所示，可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之，材料有硅(Si)与锗(Ge)，大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通晶体管型与达林顿晶体管型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光敏三极管，但光敏三极管的主流为交换组件，需要直线性时，通常使用光二极管。在实际选用光敏三极管时，应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管；如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光敏三极管，通过偏置取得合适的工作点，提高光电流的放大系数。例如，探测10-3勒克斯的弱光，光敏三极管的暗电流必须小于0.1nA。光电三极管特性曲线：照度特性曲线波长特性 光电流/正电压特性光电三极管符号部分国产光敏三极管参数：型号允许功耗 mW最高工作电压 UCEM/V暗电流 ID/μA光电流 mA峰值响应波长 μm测试条件ICE=IDUCE=UCEM1000IXUCE=10V3DU1170≥10≤0.30.5 ~ 10.88 /新艺图库3DU1250≥303DU13100≥503DU14100≥100≤0.20.5 ~ 13DU2130≥10≤0.31 ~ 23DU2250≥303DU23100≥503DU3170≥10≤0.3≥23DU3250≥303DU33100≥503DU5130≥10≤0.2≥0.5应用：光电耦合器，固态继电器，光遮断器，反射型转速传感器等等三极管 8550 和 8050 封装定义及参数8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.三极管8550管脚图1.发射极 2.基极 3.集电极8550参数:集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.--------------------------------------------------------------8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz8050引脚图芯片尺寸：4 英寸（100mm）芯片代码：C060AJ-00芯片厚度：240±20μm管芯尺寸：600×600μm 2焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝背面金属：金典型封装：S8050，H8050极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度 -55~150℃Tj——结温 150℃PC——集电极耗散功率 1WVCBO——集电极—基极电压 40VVCEO——集电极—发射极电压 25VVEBO——发射极—基极电压 6VIC——集电极电流 1.2A电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）1815三极管参数2009-10-30 14:48一、1815三极管引脚定义图二、1815三极管封装尺寸三、1815三极管参数集电极-基极击穿电压(VCBO)：60V集电极-发射极击穿电压(VCEO)