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混频器 目录 第一章 晶体管…………………………3-18 第二章 混频器………………………19-40 总结 ……………………………………58 第一章 晶体管 1.1 半导体基础及PN 结 1.2 晶体管 1.1 半导体基础及PN 结 1.1.1半导体的定义及特性 1.1.2 半导体材料分类 1.1.3 PN 结及其形成过程 1.1.4 PN 结的伏安特性 1.1.1 半导体的定义及特性 定义 半导体(Semi-conductor) 是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 导电特性 电阻率的变化受杂质含量的影响极大； 电阻率受外界条件（如热、光等）影响极大。 1.1.2 半导体材料分类 按是否含有杂质分类 本征半导体: 不含有杂质的半导体，如锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)、硼(B)、碲(Te)、锑(Sb)等。 杂质半导体:通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，就得到杂质半导体，如砷化铟镓(InGaAs)、磷化铟镓(InGaP)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、锗化硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN) 等。 按导电类型分类 N 型半导体:在半导体材料硅或锗晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N 型半导体。 P 型半导体:在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P 型半导体。 P – Positive, N – Negative. 1.1.3 PN 结及其形成过程 PN结是指在P型半导体区和N型半导体区的交界面处形成的，一个具有特殊导电性能的薄层。 PN 结是半导体器件结构的基本组成部分，它是利用控制杂质分布的工艺方法来实现的。PN 结可分为同质结(Homojunction) 和异质结(Heterojunction)。 形成过程 如图所示，将P 型半导体 与N 型半导体制作在同一块 硅片上，在无外电场和其它 激发作用下，参与扩散运动 的多子数目等于参与漂移运 动的少子数目，从而达到动 态平衡，形成PN 结。 1.1.4 PN 结的伏安特性 理想伏安特性方程 正向特性：V0的部分称 为正向特性，此时PN 结处 于导通状态。 反向特性：V0的部分称 为反向特性，此时PN 结处 于截止状态 。 反向击穿：当反向电压超过一定数值U(BR)后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。 势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 势垒电压(Barrier Voltage)：使PN 结导通的电压。 1.2 晶体管 1.2.1 晶体管的非线性 1.2.2 肖特基接触 1.2.3 肖特基势垒二极管 1.2.4 双极性晶体管(BJT) 1.2.5 场效应晶体管(FET) 1.2.1 晶体管的非线性 二极管和BJT 都具有指数型传输特性 MESFET 的传输特性可近似为二次曲线 1.2.2 肖特基接触 肖特基接触(Schottky contact) 是指在特定金属和半导体之间形成的二极管结。 1874 年，F．Braun 发现硫化铜、硫化铁这类半导体—金属接触存在导电不对称性，即整流效应。 1938 年，Walter Schottky 对这一现象作出解释，指出这过程是电子经过正常的漂移和扩散，然后越过一个势垒在移动，这个势垒就是现在所谓的Schottky 势垒。 肖特基接触的势垒电压远大于PN 结，耗尽层电容则远小于PN 结，从而更适合在高频、大电流下工作。 肖特基势垒二极管通常用作混频二极管。 1.2.3 肖特基势垒二极管 电路模型 肖特基二极管的各电路元件的典型值为: 影响RS、CJ 的因素包括： 二极管反向电压(VR)、正向电流(IF)。 1.2.3 肖特基势垒二极管(续) 肖特基二极管的混频效率与二极管参数(电容、电阻、势垒电压)和电路参数(直流偏置、负载电阻)有关。 直流正向偏置总体上会降低二极管的变损，但当本振电平达到某一最佳值时(称为额定本振电平)，直流正向偏置对二极管的变损不再起作用。 低势垒电压的二极管对应的额定本振电平低；高势垒电压的二极管则对应更高的额定本振电平。 本振电平越高，二极管表现出越好 的线性，即IIP3 更高。 1.2.4 双极性晶体管(BJT) 1948 年，Bardeen 和Brattain 两人在ATT Bell 实验室中发明了BJT。 BJT 共有三个极：基极(Base)、集电极(Collector)、发射极(Emitter)。 BJT 有NPN 和PNP 两种类型。 BJT 具有与二极管类似的指数型传输特性。 1.2.5 场效应晶体管(FET) 单极性器件，只有一种载流子，或是空穴或是电子对穿过通道的电流作