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奈米壓印(微影)技術簡介Introduction to Nanoimprint (Lithography) Technology 國立東華大學 材料科學與工程學系 張 文 固 博 士 資料來源：工研院機械所、期刊論文、網路資訊 Outline 奈米科技之發展 奈米壓印技術介紹 前世：LIGA技術 LIGA技術 深刻技術 微電鑄技術 微成形技術 LIGA製程範例 LIGA-like 今世：熱壓式奈米壓印技術、紫外線基奈米壓印技術 奈米壓印技術之技術瓶頸 奈米壓印技術之應用 何謂LIGA及目的 LIGA結合了：光刻術(Lithography)、電鍍鑄模技術(electroforming)，以及微成形之模造(molding)量產技術。 所適用的材料範圍包括半導體、金屬、高分子及陶瓷等。 可看成傳統機械的模具產業，但尺寸在微奈米。 目的： 可用於製造高深寬比之微結構。最大可達100的高深寬比。 可製作複雜之3D結構。 具較強之結構強度與電、磁致動特性。 實現機器縮小化的夢想。 LIGA技術應用產業/產品 資訊電子、光電通訊、生化科技、半導體、精密儀器… LIGA製程三大技術：X光曝光微影技術、微電鑄技術、微成形技術。 深刻技術：光源部份 X光因具有短波長、穿透力強的特性。 可提供次微米精度、次微米解析度和高深寬比的光刻能力。 1975年，IBM即開始嘗試。1982年德國卡斯魯爾核能研究所開發成功。 同步輻射光 X光LIGA製程一般均使用同步輻射光(synchrotron radiation)作為曝光光源。 準直性：其發散角在1mrad以下。 光強度高：為一般X光機的十萬倍以上，大幅縮短曝光時間。 全球適合做X光LIGA製程的同步輻射光源，僅有30座。 需選擇適當波長的光源進行曝光。標準即為光源對光刻精度的影響。 繞射現象 光電子散射 最小的誤差的波長約為0.2~0.6nm。 X光微影之優缺點 優點 波長短，解析度高，具有奈米製程能力。 繞射現象甚小。 穿透力強，光罩上的污染、微粒不會轉印在晶圓上。可用較厚之光阻，適用於高深寛比之結構。 缺點 縮小步進機製作不易。 晶圓對準問題不易解決。 光罩製作不易。 X光能量高，會對光罩加熱。 X-ray 光阻材料(PMMA) 俗稱壓克力，屬於正型光阻，最普遍採用的光阻。 優點： 光刻解析度高(~0.2um) 優異的光刻表面品質(Ra 30nm) 缺點： 感光度低：感光劑量約為4J/cm3，若要單次曝光500um厚的光阻，需6小時的曝光時間。 抗應力腐蝕(stress corrosion)性質不佳：因累積內應力，發生應力腐蝕現象。 X光光罩 典型的光罩包含吸收體、鼓膜和框架。 吸收體必須能吸收X光，多為高原子序、高密度的材料，如金。 鼓膜則需盡可能透光，多採用低原子序、低密度的材料，如鈹。 極為脆弱。 價格昂貴。 微電鑄技術 把原形母模放在陰極上，利用電鍍原理沉積至適當的厚度，再使其與母模分離，此製程可用以生產各種金屬模具和精密零組件。 利用電鍍(electroplating)原理。 電鑄的沈積過程乃是一個個原子之堆積，故可完整複製原母模的所有訊息。 由於電鑄層厚，故易產生內應力(internal stress)、變形及針孔等問題，必須將電鑄操作參數如鑄液成份、pH值、溫度、添加劑及雜質等，在電鑄程序中控制管理。 微電鑄原理 外部電路：直流電源(DC) 陰極(被鍍物品) 電鍍溶液 陽極(欲鍍上物品的金屬) 電鑄用電鍍液 基本分類 金屬電鑄：Ni, Cu, Au, Ag及Pt等。 合金電鑄：Ni-Fe, Ni-Co, Ni-Mn及Ni-W等。 複合電鑄：Ni-SiC, Ni-Al2O3及Ni-Diamond等。 金屬或合金電鑄：應用上標準的電鑄材料是鎳，因鎳具有容易電鑄及抗腐蝕性佳的特性。但是其質軟(硬度250Hv)，適較無磨耗問題的塑膠結構。 合金或複合電鑄：製作低應力、高硬度(550Hv)、強韌、耐撞擊與耐磨耗之模具。 電鑄成長速率及厚度 成長率方程式：指出在電鍍發生前能輕易估計成長率和電沈積的厚度。 估計成長率和電沈積的厚度並不容易。由於陰極的電流密度通常不均勻，不均勻的電流密度會導致不均勻的金屬分佈。 有兩個因素影響電流密度，主要為電流分佈和極化現象。 電鑄完成後，鑄件必須進行純水沖洗並加以乾燥，以避免鑄件表面產生斑點、鏽及變色。 為了使電鑄後的結構高度均一或表面平滑，必須在去除光阻前經過研磨拋光(CMP, Chemical Mechanical Polishing)，以適應結構的應用或後續的工作。 微成形技術(Micro molding) Micro molding泛指