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页次 英文名称 中文名称 1 Active Area 主动区（工作区） 2 ACETONE 丙酮 3 ADI 显影后检查 4 AEI 蚀刻后检查 5 AIR SHOWER 空气洗尘室 6 ALIGNMENT 对准 7 ALLOY/SINTER 熔合 8 AL/SI 铝/硅 靶 9 AL/SI/CU 铝/硅/铜 10 ALUMINUN 铝 11 ANGLE LAPPING 角度研磨 12 ANGSTRON 埃 13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常压化学气相沈积 14 AS75 砷 15 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 16 ASSEMBLY 晶粒封装 17 BACK GRINDING 晶背研磨 18 BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE 烘烤，软烤，预烤 19 BF2 二氟化硼 20 BOAT 晶舟 21 B.O.E 缓冲蚀刻液 22 BONDING PAD 焊垫 23 BORON 硼 24 BPSG 含硼及磷的硅化物 25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压 26 BURN IN 预烧试验 27 CAD 计算机辅助设计 28 CD MEASUREMENT 微距测试 29 CH3COOH 醋酸 30 CHAMBER 真空室,反应室 31 CHANNEL 通道 32 CHIP ,DIE 晶粒 33 CLT（CARRIER LIFE TIME） 截子生命周期 34 CMOS 互补式金氧半导体 35 COATING 光阻覆盖 36 CROSS SECTION 横截面 37 C-V PLOT 电容,电压圆 38 CWQC 全公司质量管理 39 CYCLE TIME 生产周期时间 40 CYCLE TIME 生产周期时间 41 DEFECT DENSITY 缺点密度 42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 43 DENSIFY 密化 44 DESCUM 电浆预处理 45 DESIGN RULE 设计规范 46 EDSIGN RULE 设计准则 47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均对准 48 DIFFUSION 扩散 49 DI WATER 去离子水 50 DOPING 参入杂质 51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存 52 DRIVE IN 驱入 53 E-BEAM LITHOGRAPHY 电子束微影技术 54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 55 ELECTROMIGRATION 电子迁移 56 ELECTRON/HOLE 电子/ 电洞 57 ELLIPSOMETER 椭圆测厚仪 58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 电子迁移可靠度测试 59 END POINT DETECTOR 终点侦测器 60 ENERGY 能量 61 EPI WAFER 磊晶芯片 62 EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM） 电子可程序只读存储器 63 ESD ELECTROSTATIC DAMAGE ELECTROSTATIC DISCHARGE 静电破坏静电放电 64 ETCH 蚀刻 65 EXPOSURE 曝光 66 FABRICATION（FAB） 制造 67 FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP） 全功能芯片 68 FIELD/MOAT 场区 69 FILTRATION 过滤 70 FIT（FAILURE IN TIME） 71 FOUNDRY 客户委托加工 72 FOUR POINT PROBE 四点侦测 73 F/S（FINESONIC CLEAN） 超音波清洗 74 FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪 75 FTY（FINAL TEST YIELD） 76 FUKE DEFECT 77 GATE OXIDE 闸极氧化层 78 GATE VALVE 闸阀 79 GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP） 优良电器特性芯片 80 GETTERING 吸附 81 G-LINE G-光线 82 GLOBAL ALIGNMENT 整片性对准与计算 83 GOI（GATE OXIDE INTEGRITY） 闸极氧化层完整性 84 GRAIN SIZE 颗粒大小 85 GRR STUDY (GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY） 测量仪器重复性与再现性之研究 86 H2SO4 硫酸 87 H3PO4 磷酸 88 HCL 氯