PEGP-02 CVD PROCESS.pptVIP

1) CVD定义： （1）利用包含特定成分的气体通过化学气相沉积的方法来生成薄膜的技术。 2) CVD目的： （1）在接下来步骤中薄膜选择性被去除。 （2）.薄膜将被保留到最后的成品中，并且与产品的电特性和稳定性有密切的关系。 3) CVD技术优势 （1）可以获得各种 EPI 层的厚度和电阻率 （2）可以用较低的成本获得多晶硅层，Si3N4, SiO2 （3）可以在较低的温度下得到用以保护制品的钝化层 4） CVD 工艺反应化学方程式 Reaction gas 1→ A(g) + B(g) ? C(S) + D(g) → By-product gas 反应气体 1 副产物 Reaction gas 2→ Reaction gas?Create material → Unreaction gas 反应气体 2 反应气体 +By-product gas 未反应气体 ↑ ↑ ↑ ↑ 生成物 Reaction Energy 反应所需能量 2.半导体薄膜技术 1）.薄膜沉积的各种方法 2).各种气相沉积薄膜的方法 (2).根据压强分 （4）.化学反应方程式 3.各种CVD相关设备及分类 1)CVD设备的分类 4. Kec CVD工艺 1)TR-CVD工艺 2) KEC CVD薄膜结构 5.技术的发展趋势 6.部分设备照片 KEC-C * CVD 1.什么是CVD 工艺 1）CVD定义 2）CVD目的 3）CVD技术优势 4）CVD工艺反应化学方程 2.半导体薄膜技术 1) 薄膜沉积方法 (1)根据生长的温度分 (2)根据压强分 (3)根据能量源的不同分 (4)化学反应方程式分 2) 薄膜的气相沉积方法 3. 各种CVD相关设备及分类 4. KEC的CVD 薄膜工艺 1)TR-CVD工艺 2) KEC CVD薄膜结构 5.技术的发展趋势 6.部分设备照片 目录 1什么是CVD工艺 [化学气相沉积设备的工作机制] -.Epi -. 镀金属, 硅化物层 -. PECVD -.CU -.SiO2 -.化学气象沉积 -.物理蒸发沉积 -.化学物理气象沉积 -. 电镀 -.旋转涂层 沉积镀膜 -. 镀金属(法) ? -. 硅化物层 -. 从金属卤化物置换出金属 -.硅化物的烧结 置换反应 -.热氧化 -.TiN -.Sio2/SiN -.金属层上的氮化物 还原反应 应用 具体方法 方法分类 -.SiO2,PSG, BPSG -.SiH+O2 制备SiO2 -.TEOS+O3制备SiO2 ～500℃ ～400℃ -.SiO2,SixNy -.PECVD -.Si EPI -.Si3N4 -.Poly层 -.SiO2 薄膜 -.外延 -.SiH4+H2 -.SiCl4+H2 -.SiH2Cl2+H2 ～1200℃ 高温 -.SiH4+NH3 -.SiH2Cl+NH3 -.SiH4 -.紫外线CVD -.O3 氧化 反应系统 -. 钝化层, -. 电阻 ～800℃ 中温 -. 钝化层, ILD ～200℃ 低温 反应实例 区分 (1)根据生长的温度分 Si EPI 高温 SiO2, Si3N4, Poly-Si 中温 低温 低温～ 高温 生长温度 SiO2, Doped oxide 0.1 ～ 10Torr 10 ～ 760Torr LPCVD 760Torr 压强范围 传统CVD APCVD 反应实例 区分 (3).根据能量源的不同分 -.PECVD -.SIO2, 钝化层 低温反应 ? 紫外线辐射, 激光, 微波, HDP 等离子 常压 内容 -.Poly, Si, Si3N4, WSiX RF加热 阶层 区分 -.SiH4 + O2 ? SiO2 -.SiH4 + PH3 + O2 ? SiO2 + P2O5 + H2O -.SiH4 + PH3 + AsH3 + O2 ? SiO2 + P2