光刻技术.docVIP

光刻技术 材料科学与工程 材料0302 陈海波 012003005125 定义：光刻实在光的作用下，使图像从母版向另一种介质转移的过程。母板就是光刻胶，是一种有透光区和不透光区组成的玻璃板。 光刻技术的发展 半导体技术的飞速发展一直遵循着“摩尔定律”，即每隔约18—24个月，单个芯片上晶体管数目将增加一倍。 集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个期间法转到现在的每个芯片可包含约上一个器件。Intel公司1993年推出的奔腾芯片共集成了310万个晶体管，2001年退出的奔腾4芯片则集成了5500万个晶体管，预计在2007年推出的芯片则将集成10亿个以上的晶体管半导体制造工艺一直以来每两至三年就跨上一个新的台阶。 随着20世纪80年代末纳米技术的兴起，它的发展大大拓宽和深化了人们对客观世界的认识，并带来新一轮的技术革命。纳米电子学，纳米材料，纳米机械共同组成了纳米高技术群体，它的出现标志着高新技术进入一个崭新的发展阶段。 随着芯片集成度的提高,对光刻技术提出了越来越高的技术.在80年代,普遍认为光学光刻技术所能达到的极限分辨率为0.5μm,随着一些新技术的应用和发展,包括光源,成像透镜,光致抗蚀剂,分布扫描技术以及光刻分辨率增强技术的发展,使其光刻技术已推进到目前60nm,据说,Intel公司正在进行45nm技术的光刻. 大半个芯片上晶体管数目的增长是以光刻技术所能获得的特征线宽(CD)不断减少来实现的，因此，每一代集成电路的出现，总是以光刻所获得的最小线宽为主要技术标志，半导体技术之所以能飞速发展，光刻技术的支持起到了极为关键的作用，因为它直接决定单个期间的物理尺寸。最早推出的奔腾4芯片采用的是0.18μm,2003年奔腾4芯片采用0.13μm,2004年退出的一部分奔腾4芯片将采用0.09μm工艺. 光学光刻技术 在过去的30多年里，以集成电路为核心的微电子技术迅速发展，高密度，高速度和超高频器件不断出现，醋及了计算机，网络技术，移动通信技术，多媒体传播等为技术代表的信息技术的发展，尤其是最近十年。 光学光刻的发展进程 年代 NA κ λ/nm R/μm 曝光面积/nm*nm DOF/μm 1990 0.50 0.70 365 500 20*20 1.5. 1995 0.60 0.60 248 250 20*22 1.0 1999 0.70 0.50 248 180 26*34# 0.6 2002 0.70 0.45 248/193 150/130 26*34# 0.5 2005 0.75 0.40 248/193 130/100 26*34## 0.4 2008 0.80 0.35 193/157 80/70 26*34## 0.3 2012 0.80 0.35 157 50 0.3 # 1维扫描 ## 2维扫描 光刻成像系统相质评价的几个重要指标 （1）??? 分辨率R=κλ/NA，表示能分辨的最小线宽，能分辨的线宽越小，分辨率越高。 （2）??? 焦深DOF=κλ/（NA）2，表示一定工艺条件下，能刻出最小线宽时像面偏离理想脚面的范围。焦深越大，对图形的制作越有利。 （3）??? 对比度CON=(Imax- Imin )/(Imax + Imin ),是评价成像图形质量的重要指标。对比度越高，光刻度越高，光刻出来的微细图形越好。 （4）??? 光学投影光刻的一个发展趋势是混合匹配曝光技术，将365nm,248nm以及193nm投影光刻机进行匹配曝光，由高档的步进机完成图形CD层曝光，用低档次的步进机完成其他层曝光，从而达到既降低生产费用，提高生产效率，又实现对超微图形曝光的目的 传统的光学曝光技术经历了从接触式曝光,接近式曝光,分步重复投影式到目前的扫描投影式曝光.其基本的原理为:光经过光学系统照射到设计好的掩膜(Mask)上,将掩膜图形投影到涂在硅片上的抗蚀剂层(Resist)使得抗蚀剂曝光(Exposure),通过显影(Development)可在抗蚀剂上获得与掩膜相同或者互补的图片,最后经过刻蚀(Etching)可将图形传递到硅片上,从而实现掩膜图形向硅片的转换.光学光刻的分辨率决定了芯片上单个器件的最小尺度. 光刻技术仍是主流技术.2003年,采用193nm波长的0.13μm, Intel已经正式 由于光刻技术已经发转到极限,用于替代光学光刻的下一代光刻十(NGL)也处在大力的研发阶段.有的已经取得了重大突破.下一代光刻技术主要有紫外线(EUVL),X射线光刻(XRL),电子束光刻(EBL),离子束光刻(IBL)等. 157nm光刻技术 下一代光刻技术 EUVL XRL 纳米压印技术 基本原理 157nmF2激光投 影光刻 4倍缩小扫描投影， 约