4.1节.pptVIP

空穴的运动实质上是价电子填补空穴而形成的。 图4-1(b)晶体共价键结构平面示意图 B A 空穴 自由电子 图4-1(b)晶体共价键结构平面示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 C 共价键 ⑴ 本征半导体 由于空穴带正电荷，且可以在原子间移动，因此，空穴是一种载流子。 半导体中有两种载流子：自由电子载流子（简称电子）和空穴载流子（简称空穴），它们均可在电场作用下形成电流。 ⑴ 本征半导体 半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，那么，电子空穴对是否会越来越多，电子和空穴浓度是否会越来越大呢？ 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓度都保持一个定值。 半导体中存在 载流子的产生过程 载流子的复合过程 ⑴ 本征半导体 综上所述： (1)半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。 (2)本征半导体中，电子和空穴总是成对地产生，ni = pi。 (3)半导体中，同时存在载流子的产生和复合过程。 ⑵ 杂质半导体 本征半导体的电导率很小，而且受温度和光照等条件影响甚大，不能直接用来制造半导体器件。 本征半导体的物理性质：纯净的半导体中掺入微量元素，导电能力显著提高。 掺入的微量元素——“杂质”。 掺入了“杂质”的半导体称为“杂质”半导体。 常用的杂质元素 三价的硼、铝、铟、镓 五价的砷、磷、锑 通过控制掺入的杂质元素的种类和数量来制成各种各样的半导体器件。 杂质半导体分为：N型半导体和P型半导体。 ⑵ 杂质半导体 ① N型半导体 在本征半导体中加入微量的五价元素，可使半导体中自由电子浓度大为增加，形成N型半导体。 掺入的五价杂质原子占据晶格中某些硅（或锗）原子的位置。如图4-2所示。 图4-2 N型半导体晶体结构示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 掺入五价原子 ① N型半导体 掺入五价原子占据Si原子位置 在室温下就可以激发成自由电子 杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。 自由电子的数目高，故导电能力显著提高。 把这种半导体称为N型半导体，其中的电子称为多数载流子（简称多子），空穴称为少数载流子（简称少子）。 在N型半导体中自由电子数等于正离子数和空穴数之和，自由电子带负电，空穴和正离子带正电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。 ① N型半导体 ② P型半导体 在本征半导体中加入微量的三价元素，可使半导体中的空穴浓度大为增加，形成P型半导体。 空位 A 图4-3 P型半导体晶体结构示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 共价键 空位吸引邻近原子的价电子填充，从而留下一个空穴。 在P型半导体中，空穴数等于负离子数与自由电子数之和，空穴带正电，负离子和自由电子带负电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。 综上所述： (1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (2)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。 (3)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 ⑶ 载流子的漂移运动和扩散运动 ① 漂移运动（Drift Movement） 有电场力作用时，电子和空穴便产生定向运动，称为漂移运动。 漂移运动产生的电流称为漂移电流。 ② 扩散运动 由于浓度差而引起的定向运动称为扩散运动（Diffusion Movement），载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。 扩散是由浓度差引起的，所以扩散电流的大小与载流子的浓度梯度成正比。 3. PN结的形成 PN结： 是指在P型半导体和N型半导体的交界处形成的空间电荷区。 PN结是构成多种半导体器件的基础。 二极管的核心是一个PN结；三极管中包含了两个PN结。 浓度差引起载流子的扩散。 3. PN结的形成 扩散的结果形成自建电场。 空间电荷区也称作 “耗尽区” “势垒区” 自建电场阻止扩散，加强漂移。 动态平衡。 扩散=漂移 3. PN结的形成 4.PN结的特性 ⑴ PN结的单向导电性 ①PN结外加正向电压 如图所示，电源的正极接P区，负极接N区，这种接法叫做PN结加正向电压或正向偏置。 ① PN结外加正向电压 PN结外加正向电压时（P正、N负），空间电荷区变窄。 不大的正向电压，产生相当大的正向电流。 外加电压的微小变化，扩散电流变化较大。 ② PN结外加反向电压 如图所示，电源的正极接N区，负极接P区，这种接法叫做PN结加反向电压或反向偏置。 ② PN结外加反向电压 流过P