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太阳能电池制作流程熊飞 太阳电池的制造过程 硅片检验 Wafer incoming inspection 蚀刻和表面制绒 Wet etch and surface texture 磷扩散 POCL3 emitter diffusion 去除磷硅玻璃 PSG removal 抗反射层镀膜 SiNx ARC deposition on front 前面电极印刷和干燥 Front Ag screen print and dry 背面电极印刷和干燥 Rear Ag screen print and dry 背面电场印刷和干燥 Rear Al screen print and dry 前后面金属接触共烧结 Front Rear contact co-firing 激光边缘结隔离 Laser isolation 光电检测和分类 Photoelectric test and sort 入库和出货 Storage and shippment 太阳电池制造过程-硅片检验 硅片来料检验 外观 Appearance 半导体导电极性 Si conduction type 电阻率 Resistivity 中心厚度 Central thickness 平均厚度 Average thickness 表面平坦度/总厚度偏差TTV(total thickness variation) 翘曲度 Bow 少数载流子寿命 Minority carrier lifetime 边长/直径 Length wafer edges/Diameter 太阳电池制造过程-蚀刻制绒 蚀刻制绒的目的: 去除切割损伤层和形成粗糙的吸光表面. 蚀刻机台: RENA InTex 绒面蚀刻原理: 单晶硅碱溶液蚀刻 Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3+2H2 ↑ 流程为: KOH(NaOH)+IPA etch(60-90 ℃)?DIW(去离子水)洗净?HF去除氧化层?热DIW洗净?热风吹干 多晶硅酸溶液蚀刻 Si+HNO3+HF?H2SiF6+HNO2+H2O+H2 ↑ 流程为: HNO3+HF+(CH3COOH) etch(5-20 ℃)?KOH中和?DIW(去离子水)洗净?HCl去除金属离子?DIW洗净?热风吹干 蚀刻深度 4.5um. 太阳电池制造过程-蚀刻制绒 单晶硅碱蚀刻 多晶硅酸蚀刻 10um 10um 太阳电池制造过程-扩散 扩散制程目的:形成PN结. 扩散机台: Tempress Tube Furnace (TS81254) 原理: 分为两个过程 预沉积 4POCl3+3O2?2P2O5+6Cl2(800-900 ℃) 磷驱入 2P2O5+5Si?4P+5SiO2(850-950 ℃) 扩散深度 0.3-0.5um 扩散方块电阻 50-80 ohm/sq. 太阳电池制造过程-去除磷硅玻璃 制程目的: 去除含磷的二氧化硅层. 蚀刻机台: RENA InOx 原理: 6HF+SiO2?H2SiO6+2H2O(25 ℃) 流程为: HF去除氧化层?DIW洗净?热风吹干. 蚀刻速率选择比: ER(SiO2)/ER(Si)~100 太阳电池制造过程- PECVD PECVD制程目的: 沉积抗反射膜(ARC) 沉积机台: OTB DEPx 1500 原理: NH3+SiH4(400-500 ℃ )?SiNx+H2 流程为: 硅片装入?加热?沉积SiNx?冷却?破片清扫?硅片卸出 沉积厚度: ~80nm. 太阳电池制造过程-印刷烧结 网版印刷与烧结制程目的: 印刷电极图案并且通过高温烧结与基底形成良好的金属接触。 印刷烧结机台机台: OTB METx 1500(CDF7210) 流程为:背电极印刷及烘干?背电场印刷及烘干?正面电极印刷及烘干?前后表面高温共烧结 正面主栅线 (busbar)宽度: 1.5mm 正面副栅线 (finger)宽度: 120um, 间距2.7mm. 背面电极(busbar): 4mm 太阳电池制造过程-印刷烧结 Front side busbar Front side finger Rear side busbar 太阳电池制造过程-边缘隔离 Laser切割制程目的: 隔绝边缘结, 防止电池的正面与背面短路. 切割宽度约20um, 切割深度约30um, 距离边缘200um-300um. 太阳电池制造过程-测试分类 光电测试原理: 利用模拟太阳光照射测量电池的输出电学参数. 光电测试条件: 温度25℃, 光谱分布AM1.5, 光强1000W/m2 . 光电测试主要参数 短路电流Isc 开路电压Voc 最大功率Pmax=Imax ×Vmax 填