集成电路元器件及其SPICE模型报告范本.pptVIP

4）LEVEL＝4 级别为4的MOS4模型又称BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型。该模型 是由美国伯克利大学1984年专门为短沟道MOS 场效应晶体管而开发的模型，是ATT Bell实验 室简练短沟道IGFET模型的改进型。模型是在 物理基础上建立的，模型参数由工艺文件经模 型参数提取程序自动产生，适用于数字电路和 模拟电路，而且运行时间比二级模型平均缩短 一半左右。现已发表的有BSIM1、BSIM2、 BSIM3和BSIM4等模型。 二、MOS1模型 MOS1模型包括了漏区和源区的串联电阻rD和rS，两个衬底PN结和结电容CBS、CBD，反映电荷存储效应的三个非线性电容CGB、CGS和CGD以及受控电流源IDS。 1）电流方程 线性区： 饱和区： 本征跨导参数 2）两个衬底PN结 当VBS0时 当VBS0时 当VBD0时 当VBD0时 3）PN结电容 两个PN结电容CBS和CBD由底部势垒电容和侧壁势垒电容两部分组成。 4）栅电容 三个非线性栅电容CGB，CGS，CGD由随偏压变化和不随偏压变化的两部分构成。 其中不随偏压变化的部分是栅极与源区、漏区的交叠氧化层电容以及栅与衬底间的交叠氧化层电容（在场氧化层上） 。 随偏压而变的栅电容是栅氧化层电容与空间电荷区电容相串联的部分。