纳米级超精细物理沉积镀膜工艺机理分析(修改).doc

纳米级超精细薄膜物理沉积工艺机理研究 宋太伟，高伟波，余冬冬，方祥，杨光 （上海建冶环保科技股份有限公司，上海陆亿新能源有限公司） 摘 要：本文以热蒸镀和磁控溅射工艺为基础，分析解决如何用简捷的物理镀膜方法，实现1-2纳米厚度超精细薄膜的均匀可控沉积。对热蒸镀的分析中，以控制靶材蒸发量为基础，同时结合了对蒸发物质粒子的路径控制。对于磁控溅射工艺，分析了外加磁场、电场及压力、温度对腔内气体的粒子成分与运行轨迹的影响，用宏观统计逻辑建立起理想的磁控沉积方程组，并定量分析了被溅射物质的粒子大小与运行轨迹等与外部可变可控条件的关系，以指导设计可实现1-2纳米厚度薄膜磁控沉积设备。 关键词：电子束蒸镀，磁控溅射，沉积速率 1. 前言 热蒸镀、磁控溅射等物理镀膜方式工艺简单、低成本、适应于规模化的生产流程线，在科研、工业等领域已经得到广泛应用。不过，当代微电子、半导体等制造技术的加工精度已经精细到1纳米甚至更小的量子尺度，在许多超精细半导体或光电子器件中，包括大市场的超高效绿色太阳能电池，制备几纳米厚度薄膜结构已经成为器件的关键工艺。普通真空热蒸镀速度快、工艺简单，比较适用于厚度在微米级镀膜，蒸镀更薄层膜，沉积速度、均匀性等均难以控制。现有高精度磁控溅射设备，可以完成10纳米甚至更薄薄膜的沉积，但薄膜的平整度与均匀性差。此外，在超精细薄膜上进行叠层溅射镀膜，由于沉积颗粒的不可控性，会对已有的超精细薄膜造成损伤。目前比较成熟的能够实现纳米级厚度薄膜的生长技术，多采用分子束外延(MBE) 、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等系统设备。从经济与环保的角度来讲，上述复杂的、昂贵的、有环境危害因素的工艺技术，肯定不是大规模的大市场的高端先进制造业的技术工艺最优选项。本文正是基于探求更为简单、绿色、低成本的超精细真空镀膜工艺技术，尝试如何改进热蒸镀、磁控溅射等物理镀膜工艺，以实现其能够制备纳米级厚度和均匀性的超精细薄膜。 2. 热蒸镀方法实现1-2纳米均匀镀膜工艺机理 2.1 理论工艺机理 真空热蒸发镀膜速度极快，为实现蒸镀纳米级厚度且均匀的薄膜，必须从靶材蒸发量与基板上薄膜沉积速度两方面实现可控。 对于100cm2或更小面积薄膜的沉积，如果在10-20秒内实现1nm厚度的沉积，坩埚内物质的蒸发量是克级以下甚至毫克级（1000-1mg）的。以可控束斑直径（0.1mm级）的电子束或激光等定点加热靶材（或电磁感应等定量加热靶材）至蒸发量到达这一级别，是可以实现纳米级厚度薄膜生长的。 为了更精细地控制镀膜速率与均匀性，在控制蒸发量的基础上，控制基板表面的粒子沉积速率与基板表面周围粒子气体的均匀性是非常重要的。若在大真空腔内，于蒸发源料的正上方，设置一个可移动和拆装的对称套筒（比如圆柱形），中间均匀排放多个带有直径在0.1-1mm级的圆孔的由稳定材料制作的阻档片，源料蒸发的粒子在到达基板表面的过程中，有被多个挡片吸收与碰撞可能，经过多孔多次的散射，运动到基板表面附近的源料粒子变得均匀且可控。其具体结构示意图如图1所示。 图1 辅助电子束蒸镀超精细薄膜示意图 2.2 薄膜沉积速度估算 假设，靶材蒸发速度为m ，靶材密度为ρ，大腔体体积为V、表面积为S ，沉积薄膜面积与精细档片面积为s1， 精细挡片孔的面积与总面积比为b， 精细挡片数为N，薄膜沉积速度为H（厚度/秒），则统计平均估算超精细薄膜的沉积速度公式为： H = m bN/Sρ (1) 公式(1)为沉积均衡状态时的统计均值，初期实际沉积速度慢些。 为了避免蒸发原子在前端蒸发挡板的过度凝结，增加超精细镀膜时间，并使超精细蒸镀工艺更为简单与低成本，可以用线圈感应加热取代电子束蒸发，并可将腔室内充压力适度的氩气、并保持一定的蒸发温度。 3. 磁控溅射方法实现1-2纳米均匀柔性镀膜工艺机理 磁控溅射镀膜工艺简捷、低温节能、高效、无污染且应用极广。不过由于溅射靶材颗粒大小不均匀且速度不可控，利用现有普通磁控溅射设备，很难实现纳米级薄膜的柔性均匀沉积，且薄层镀膜的相对粗糙度大，沉积过程会对基底上的精细结构造成损伤。 图2中所示为附加线圈磁场（产生磁场B）的磁控溅射腔内结构示意图，除去螺旋线圈，就是一般磁控溅射真空腔结构（多靶可旋转）。永久磁铁产生的磁场（NS极附近，图3中B1）将电极偏压击穿氩气产生的等离子体气体大量束缚在作为负电极靶材的附近，离子撞击并加温使靶材被溅射的效率极高。沉积腔内的电场、气体密度、温度等均形成一定的不均匀梯度分布，偏压、正负电极间距、进出气流等，均可影响腔内多场的梯度分布。 图2 附加线圈磁场的磁控溅射腔内