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1N4148中文资料 特征：?硅外延平面二极管?电性能相当于二极管:1N4148-1N914 1N4448-1N914B 应用：快速开关 Absolute Maximum Ratings datasheet 绝对最大额定值Tamb 25 除非另有说明Tamb 25, unless otherwise specified二極體 Parameter 参数 Test condition 测试条件 Symbol 符号 Value 数值 Unit 单位 Repetitive peak reverse voltage 反复峰值反向电压 VRRM 100 V Reverse voltage 反向电压 VR 75 V Peak forward surge current 峰浪涌电流 tp 1 μs IFSM 2 A Repetitive peak forward current 重复峰值正向电流 IFRM 500 mA Forward current 正向电流 IF 300 mA Average forward current 平均正向电流 VR 0 IFAV 150 mA Power dissipation 耗散功率 l 4 mm, TL 45 PV 440 mW l 4 mm, TL ≤ 25 ℃ PV 500 mW Thermal Characteristics热特性表 Tamb 25 除非另有说明Tamb 25 , unless otherwise specified Parameter 参数 Test condition 测试条件 Symbol符号 Value 数值 Unit 单位 Junction ambient 热阻 结到环境 l 4mm, TL constant RthJA 350 K/W Junction temperature 结温 Tj 200 Storage temperature range 储存温度范围 Tstg -65to+200 ?Electrical Characteristics 电气特性 Tamb 25 除非另有说明Tamb 25 , unless otherwise specified Parameter 参数 Test condition 测试条件 Part Symbol 符号 最小 最大 Unit 单位 Forward voltage 正向电压 （压降） IF 5 mA 1N4448-TR VF 0.62 0.72 V IF 10 mA 1N4148-TR VF 1 V IF 100 mA 1N4448-TR VF 1 V Reverse current 反向电流 VR 20 V IR 25 nA VR 20 V, Tj 150 IR 50 μA VR 75 V IR 5 μA Breakdown voltage 击穿电压 IR 100 μA, tp/T 0.01, tp 0.3 ms V BR 100 V Diode capacitance 二极管电容 VR 0, f 1 MHz, VHF 50 mV CD 4 pF Rectification efficiency 整流效率 VHF 2 V, f 100MHz ηr 45 % Reverse recovery time 反向恢复时间 IF IR 10mA, iR 1mA trr 8 ns IF 10mA, VR 6V, iR 0.1 x IR, RL 100 ? trr 4 ns ?特性曲线： 正向电压与结温 正向电流与正向电压 正向电流与正向电压 反向电流与反向电压 封装及外形： 图1?DO-35封装外形图片 图2 圆柱形贴片封装 图3?扁平1206，0603等等贴片封装 图4 DO35 封装尺寸