电路与模拟电子技术(第二版)高玉良 第六章.docVIP

第六章 二极管和晶体管 6.1半导体导电和导体导电的主要差别有哪几点？ 答：1、半导体中同时存在电子导电和空穴导电。 2、半导体导电能力随温度的增加而显著增强。 3、导体导电是由于导体内部容易失去电子，加上电压后，导 体内部自由电子在电场力的作用下定向运动形成电流。 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大，为什么？ 答：在杂质半导体中，多数载流子由掺杂形成，其数量取决于掺杂浓度，少数载流子由本征激发产生，其数量由温度决定。 本征半导体中载流子的浓度大，因为本征激发的少数载流子的数量由温度决定，且其数目仍远远小于多数载流子的数目。 什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？ 答：当外加正向电压很小时，由于外电场还不能克服PN结的内电场对多数载流子的扩散运动的阻碍，故这时的正向电流很小，当正向电压超过一定数值Uth后，内电场被大大削弱，电流迅速增长，因此Uth成为死区电压。通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V，二极管导通时的正向压降，硅管为0.6-0.8V，锗管为0.2-0.3V。 为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关，而当环境温度升高是又显著增大？ 答：在一定温度下，当反向电压超过零点几伏后，反向电流将不再随电压增