频率响应 for OP.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 13.4 放大器高頻響應 對BJT而言，其寄生電容主要來自於B-C極間的C?以及B-E極間的C?。 對FET而言，其寄生電容主要來自於G-D極間的Cgd以及G-S極間的Cgs。 圖13.19(a) C C? C? B E 圖13.20(a) D Cgs Cgd G S * 13.4 放大器高頻響應 ＣＳ放大器的高頻小信號等效電路 圖13.14 (重複) + ? VDD RG1 RD CD Vo R CG RL RG2 RS CS Va 圖13.21 + ? Ra Cgd Va RG1 RG2 Cgs gmVgs R RD RL Vo Vi * 13.4 放大器高頻響應 Ｃgs 的效應 造成的效應和LPF相同，而其3dB頻率則由Cgs兩端所看到的等效電阻而定。 Cgd的效應  Cgd兩端跨接在信號路徑上。 它對高頻響應影響很大(影響遠大於Cgs！)。 圖13.1 (重複) R Vi Vo C 圖13.8 (重複) C Vi Vo R * 13.4 放大器高頻響應 米勒定理(Miller Theorem) 利用V1流向V2的電流(I1)與由V2 流向V1的電流(I2)，兩者大小應該相等，但方向相反的條件。 圖13.22(a) Z V2 V1 I2 I1 圖13.22(b) Z1 Z2 V1 V2 * 13.4 放大器高頻響應 Z1、Z2 分別代表V1和V2 端的等效接地阻抗。 圖13.22(b) Z1 Z2 V1 V2 * 13.4 放大器高頻響應  圖13.23 + ? Ra Vi Va RG1 RG2 Cgs gmVgs Ro RD RL Vo CM1 CM2 圖13.21 + ? Ra Cgd Va RG1 RG2 Cgs gmVgs Ro RD RL Vo Vi * 13.4 放大器高頻響應 例3. 在例1的CS放大器中，假定Cgs = Cgd =  1pF，請估算其高頻3dB頻率(忽略ro)。 圖13.14 (重複) + ? VDD RG1 RD CD Vo Ra CG RL RG2 RS CS Va * 13.4 放大器高頻響應 CE放大器例4. 在例2的CE放大器中，假定C? = C? = 1pF，請估算其高頻3dB頻率。 圖13.17 (重複) + ? VCC RC R1 Ra CB CC Vo RL CE RE R2 Va * 13.5 CB放大器和Cascode 放大器 ＣＢ放大器 Ｃπ的效應 C? 對高頻響應的影響不大。 等效電阻為 高頻3dB頻率為 圖13.24 + ? R1 RC CC Vo RL CE Ra RE Va R2 CB VCC 圖13.25 + ? C? C? r? gmV? RC RL Vo Ra RE Va * 13.5 CB放大器和Cascode放大器 C? 的效應 C?一端接地，所以米勒電容放大效應不存在。 等效電阻為(Rc//RL)。 高頻3dB頻率為 C? 和C? 還是造成高頻響應的限制，但由於無米勒電容放大效應，所以它的高頻響應遠比CE放大器好。但其缺點是輸入電阻很小，造成信號在輸入端會明顯衰減，無形中降低其增益。 * 13.5 CB放大器和Cascode放大器 例8. 圖13.24的CB放大器，假定VCC=12V，信號源電 阻Ra=1kΩ，負載RL=10kΩ，電晶體的β=100 。請設計電路以得到直流偏壓如下 : IC= 2mA， VB = 4V，VC= 8V。接著請計算增益及寄生電容 所造成之高頻3dB頻率。 圖13.24 (重複) + ? R1 RC CC Vo RL CE Ra RE Va R2 CB VCC * 13.5 CB放大器和Cascode放大器 Cascode放大器 結合CE和CB放大器的優點於一身，缺點是電路比較複雜，需動用兩顆電晶體。 主要設計觀點是利用Q2解決CE放大器中的米勒效應。 圖13.26 + ? VCC RC R1 CC Q2 Vo RL CB2 Ra Va R3 RE CE Q1 CB1 R2 * 13.5 CB放大器和Cascode放大器 Cascode放大器 Q1為CE放大器的結構，但是Q1的C極未接到負載而接到Q2的E極。Q2結構上是一個CB放大器，因為其B極接大電容(交流接地)而