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FIB技术 摘要 ：FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。 聚焦离子束 引言 聚焦离子束( FIB) 技术的快速发展和实用化要归功于液态金属离子源的开发。1970 年代初期美国Argonne 国家实验室的V.E.Krohn 和G..R.Ringo、英国Cluham 实验室的R.Clampitt 和美国Oregon 研究中心的J.Orloff 和L.W.Swanson 等人先后开发了不同类型的液态金属离子源, 并尝试应用于FIB 系统。1978 年美国加州休斯研究所的R.L.Seliger 等人建立了世界上第一台Ga+ 液态金属离子源的FIB 加工系统, 开创了FIB 实用化的先河。该系统的离子束斑直径为100 nm, 束流密度1.5 A/cm2, 束亮度达到3.3×106 A/cm2·sr。到1980 年代和1990 年代, 在机理研究、装备研制和应用技术研究方面, FIB 技术都取得了长足进步,不同用途、多种结构的商品型FIB 系统批量投入市场, 配备到各类研究实验室, 一部分也进入半导体集成电路制造厂。聚焦离子束技术在微电子行业的广泛应用, 大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速度, 目前已经成为电子技术领域必不可少的关键技术之一。 2. FIB系统的工作原理 FIB 技术是利用静电透镜将离子束聚焦成极小尺寸的显微切割技术，目前商用FIB 系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。由于Ga 元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗氧化力，因而液态金属离子源中的金属材料多为Ga. FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用 IC芯片电路修改 　　 用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。 FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。 FIB 修改过的集成电路 ）Cross-Section 截面分析 　　 用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。 Probing Pad 　　 在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。 基于聚焦离子束技术的微刀具制备方法 将ＦＩＢ技术的应用扩展到微型刀具的加工中，在设计组建的聚焦离子束系统与高精度的旋转器相结合的实验平台上，利用聚焦离子束的铣削功能对不同材料的刀具毛坯进行复杂三维结构的微刀具加工。通过设定恰当的聚焦离子束加工参数以及精确控制刀具毛坯与离子束入射方向之间的方位，输入不同的灰度图像精确控制ＦＩＢ铣削，能够加工各种复杂几何形状的微刀具。与其他传统的刀具加工方法相比，本发明提出的方法具有精度高、可重复性强、应力应变小、可在线观测、适用于各种材料和几何形状等优点。 真空中，液体离子源的金属原子被场蒸发和场离化，加速，聚焦后形成聚焦的离子束。 直径10nm的聚焦离子束扫描于样品表面，激发出二次电子、二次离子等，提供高分辨率的图像；同时，离子束引发物质的溅射效应。