chapter2 cmos逻辑门设计-1.ppt

VLSI设计导论 本章概要 开关与逻辑 MOSFET 基本逻辑门 组合逻辑门 传输门 2.1 理想开关与布尔运算 高电平有效控制开关 2.1 理想开关与布尔运算 低电平有效控制开关 2.1 理想开关与布尔运算 开关→逻辑 开关的组合可以完成逻辑运算 开关串联可实现“与”操作 开关并联可实现“或”操作 同时采用高、低电平有效的开关才能实现正确的逻辑 高电平有效时的逻辑关系仅当控制电平为高时有效 低电平有效时的逻辑关系仅当控制电平为低时有效 2.1 理想开关与布尔运算 2.2 MOSFET开关 什么是MOSFET 定义 ?? Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ?? 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 功能 ?? 能够实现上述高电平有效和低电平有效的控制开关，因此能够实现逻辑电路 ?? 现代数字集成电路的基础 类型 ?? nFET：n沟道MOSFET→高电平有效开关 ?? pFET：p沟道MOSFET→低电平有效开关 2.2 MOSFET开关 CMOS采用NMOS和PMOS管构建逻辑电路 2.2 MOSFET开关 布尔量与电参量之间的转换 2.2 MOSFET 2.2 MOSFET开关 2.2 MOSFET开关 2.2 MOSFET开关 2.2 MOSFET开关 2.2 MOSFET 2.2 MOSFET开关 传输特性 NMOS单管开关 PMOS单管开关 2.2 MOSFET开关 2.2 MOSFET开关 CMOS开关 作业 P48 1，2，3 * * 第2章 MOSFET逻辑设计 Behavior of an assert-high switch. Series-connected switches Parallel-connected switches y=x·A iff A=1 Behavior of an assert-low switch. y=x·（~A） iff A=0 Series-connected switches A switch-based NOT gate A MUX-based NOT gate Dual power supply voltages Single voltage power supply 低电压对应逻辑值0； 高电压对应逻辑值1； 电平标准（VILVIHVOLVOH） 非理想性 ? 仅当控制电平高于|VT|时才起作用 ?导通时有电阻Ron 高电平有效 低电平有效 阈值（开启）电压 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→使受主负离子漏出，形成耗尽层。 增加VGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面（反型）→形成导电沟道，如 果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 开启电压（VT）：刚刚产生沟道所需的栅源电压VGS。 ? VGSn≤VTn，nFET截止(off)，开关断开 ? VGSnVTn，nFET导通(on)，开关闭合 栅源电压VGSn0 阈值电压VTn=0.5～0.7V ? VSGp≤|VTp|，pFET截止(off)，开关断开 ? VSGp|VTp| ，nFET导通(on)，开关闭合 栅源电压VGSp0 阈值电压VTp=－0.5～－0.8V nFET pFET nFET pFET 阈 值 电 压 损 失 nFET pFET nFET *