MOSFETIRF540 资料.doc

MOSFET IRF540 N沟道MOS管 特性 ‘Thrench’工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS V_DGR V_GS I_D I_DM P_D Tj，Tsig 漏源极电压 漏门极电压 门源极电压 连续漏电流 脉冲漏电流 总功耗 操作点和 存储温度 Tj= 25 ?C to 175?C Tj = 25 ?C to 175?C; RGS = 20 k? Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V Tmb = 25 ?C Tmb = 25 ?C - - - - - - - -55 100 100 ±20 23 16 92 100 175 V V V A A A W ℃ 雪崩能量极限值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 非重复性雪崩能量 最大非重复性雪崩电流 Unclamped inductive load, IAS = 10 A; tp = 350 μs; Tj prior to avalanche = 25?C; VDD ≤ 25 V; RGS = 50 ?; VGS = 10 V; refer to fig:14 - - 230 23 mJ A 热敏电阻 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 安装底座交界处的热阻 周围环境热阻 SOT78封装，自由空间 SOT404封装，PCB上 - - - - 60 50 1.5 - - K/W K/W K/W 电特性 25℃ 除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源极崩溃电压 门阀电压 漏源极导通电阻 向前跨导 门源极泄漏电流 0门极电压漏电流 =0V；=0.25mA Tj = -55?C = ; ID = 1 mA Tj = 175?C Tj = -55?C = 10 V; ID = 17 A Tj = 175?C =25V; =17A =±20 V;=0V VDS = 100 V; VGS = 0 V VDS=80V;VGS=0V;Tj= 175?C 100 89 2 1 - - 8.7 - - - - - 3 - - 49 132 15.5 10 0.05 - - - 4 - 6 77 193 - 100 10 250 V V V V V mΩ mΩ S nA uA uA 总共门极电荷 门源极电荷 门漏极电荷 ID = 17 A VDD = 80 V; VGS = 10 V - - - - - - 65 10 29 nC nC nC 开启延迟时间 开启上沿时间 关闭延迟时间 关闭下沿时间 = 50 V; = 2.2 ?; = 10 V; = 5.6 ? Resistive load - - - - 8 39 26 24 - - - - ns ns ns ns 内部漏电感 内部漏电感 内部源极电感 Measured tab to centre of die Measured from drain lead to centre of die (SOT78 package only) Measured from source lead to source bond pad - - - 3.5 4.5 7.5 - - - nH nH nH 输入电容 输出电容 反馈电容 = 0 V; = 25 V; f = 1 MHz - - - 890 139 83 1187 167 109 pF pF pF 反向二极管极限值及特性 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 脉冲源极电流 二极管正向电压 =28A； =0V - - - - - 0.94 23 92 1.5 A A V 反向恢复之间 反向恢复命令 =17A；=0V; -d/dt=100A/us;=25V - - 61 200 - - ns nC  底座温度-自然