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光电检测技术习题课
1、N型硅的杂质电离能??D 0.045ev（掺磷），求： （1）它吸收的长波限？ （最大响应波长） （2）若半导体的长波限为14?m，求杂质的电离能？ 2、0.5 lm的光均匀照射到面积为4cm2的光敏面上，问光敏面的照度为多少？ 3、一只波长为632.8nm的He-Ne激光器（该波长视见函数为V ? 0.265）所发射 通量为?e ? 5mW，若投射到屏幕上的光斑直径为0.1m，求光照度是多少？ 4、硅的禁带宽度Eg 1.1ev，当掺入少量杂质磷（ ??D 0.045ev ）后，产生一 杂质能级。分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限。 5、若光电探测器件在10-6W/m2的辐射照度下，其输出端的信噪比S/N 10，若其 光敏面积为2mm2，试求其噪声等效功率NEP。 6、有一硅光电二极管，其光敏面积为2mm2，在室温下测得输出光电流为15?A 一般硅光电二极管的灵敏度SI 0.5 ?A/ ?W ，其散粒噪声与热噪声的总噪声 电流为3nA。若测量系统的带宽?f 1Hz时，试求探测率D与比探测率D* ? 7、某光电探测器件的光敏面直径为0.5cm，比探测率D* 1011cmHz1/2/W，将它 用于?f 5KHz的光电仪器系统中，问它能探测的最小辐射功率为多少？ 8、某光电倍增管PMT的阳极灵敏度Sa 100A/lm，其阳极输出电流要求限制在 100?A内。问其阴极面上最大允许的光通 量为多少？ 9、若PMT的阳极灵敏度Sa 10A/lm ，阴极灵敏度Sk 20?A/lm ，其倍增极为 11级。若各极由同一材料制成，其电子收集效率为1，问各倍增极的二次电子 发射系数?为多少？ 10、已知某PMT的光阴极面积为2cm2，阴极灵敏度Sk 20?A/lm ，放大倍数M 105，阳极额定电流为Ia ? 200?A，试求允许的最大光照度Em ？ 11、某光敏电阻的暗电阻为600K?，在200lx光照下的亮、暗电阻之比为1/100， 试求该光敏电阻的光电导灵敏度。 率 * 率 *
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