更高更妙的物理--疑难杂症总结.docVIP

p12.1先考虑一个球，底面是球面，重心是球心（众曰：废话！），会地上到处滚；那么这东西在平地上不到处滚，重心必然低于球心，不论他上面长什么样；于是重心低于球心A；设距离B为H；然后我们把他反过来，此时重心很高当然很难平衡故需要地面曲率达到一定程度，我们假设它微微歪了一点点使球面上新的接触点离原本接触点点偏离的角度为α，则接触点偏离的长度c=bα，而重心的偏离是(H+b)乘以AB与竖直线的夹角，这个角度等于AB与切线的夹角减去切线与地面的夹角，说白了就是偏离同样距离两种圆弧转过的角度之差，之所以要曲率大就是为了防止质心偏得太远，你们可以极端法想想如果两个曲率一样了，质心动都动不了因为转角差就是0.所以很明显有Δx = (H+b) * （α-β）注释：αβ都是小角就直接当成弧的圆心角而弧很平就直接当直线了，这么多近似，都是合理的然后就是一个白痴问题啦质心移开了Δx而接触点移开了Rβ，质心偏得少一些，重力就是回复力了，于是这就是我们需要的稳定平衡条件(H+b) * （α-β）Rβ，其中α是设的量而Rβ=Hα，所以只有R未知且可求，综上，本题方程组：本题结果  说法一：注意的是它把小球错误地当作了孤立电容，当然在小球很轻很小的情况下也不是不可以这样近似，只能说这题出得不好不严谨无穷大A板与无穷远成一无穷大电容，小球与无穷远成一无穷大电容，然后并联。加上无穷大的B，不过是又一个无穷大。在没有小球时，电容显而易见，加上小球B对系统的贡献没有变化。所以应该与近似无关，答案的算法没什么不严谨P120.3这题里大家不理解的地方主要在于为什么速度向着低温区域的概率为1/4，这里高妙上是一笔带过的，如果说显然那也太不显然了。而且就高妙答案上的表述来看，作者或可能完全不理解照搬大学做法结果表述错误，或可能想的做法和笔者初三时用的愚钝统计法一样，但这做法也太傻太巧合。I这里先面向有能力冲击国家集训队的同学们介绍标准的普物式模型做法——泄流速率模型：考虑一个微小柱形容器，内部分子数密度与题中一致，而底面积与题中低温区域相同，那么假设此容器一端开口，那么瞬时此容器中减少的分子应与题中球形容器减少的分子数一致，因为这两个模型只是一个吸住分子，一个漏掉分子，共同结果是这一瞬时到达一个小表面的分子消失。那么我们可以很简单地求出平均每秒漏掉的分子数dn/dt=nvS，式中v为径向平均速率，此v可以根据麦克斯韦分布率得出：其实可以看得出这个v是平均速率的1/4，当然直接用这个表达式算出dn/dt，不用去管比例了此积分需要一个简单的积分公式 II然后，再说明一个求书上所说的“1/4”的方法，也就是笔者初三时根据他“全部粒子中速度沿径向且向低温方向的概率为1/4”的说法硬想出的积分法。以低温区域为顶点以过此点的直径为对称轴作一系列锥面分割此球,并考查张角为θ与θ+dθ的锥面之间所夹的部分，这部分粒子的数量是n*2Rcosθ*(2Rcosθdθ)/2，粒子速度向低温区域的概率为“低温区域在这个锥面方向投影面积除以（一个以它和低温区域的距离为半径的球面积）”，引号内的话是这种做法的根本，也是由各向同性为基础引出的基本概念，那么这个概率函数对距离积一次分可得dn/dθ关于θ的函数，再对θ积一次分就可得粒子数，具体积分过程如下再对θ从0到π/2积一次分就是向着低温区域的总粒子数，结果就是1/4n总，但这个比值结果没有意义，高妙上分析后直接用v*s*n来算是错的，因为这些粒子并不同时到达，正确的解法是在上市的积分中加入时间参量即假设所有粒子速度均是平均速度之后求单位时间到达的粒子数，这个积分的形式如下：本题的难点就在于求出dn/dt,，以上笔者用了两种方法求出此解，希望大家好好理解，第二种方法实属愚钝之笔是不熟悉麦克斯韦分布率时不得以想出的方法。剩下的工作就是根据dn/dt求出n/t函数，这里又是一个微分方程，书上的微元法解法其实也不错：P200.13这题高妙上的解法答案全正确，至于同学们疑惑的电流为什么这么计算，我给出明确的模型：圆形理想超导体金属片AB半径为R与该金属圆盘一致，现在将该金属片贴到圆盘上下表面：那么电流在此小块和其余部分间形成回路，此回路的外层部分（也就是那两块大的）截面积远远大于我们研究的小块，故电阻忽略不计，这就是书上提供的模型。这种做法是有依据的，好比我们求一个两边中点接着导线的矩形电阻片的电阻就是把两个单独接入点当作两个接入平面