清华大学-电子能谱资料.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 图7—6是解理面Si(111)2×1吸附氧时的低能电子损失谱。 当氧的覆盖度θ＜0.2时，在离弹性峰56毫电子伏的地方由于激发声子而出现损失峰，这和图7—3的结果是一致的。但在90毫电子伏和125毫电子伏的地方出现另外两个损失峰，这两个损失峰属于氧的振动模。 当θ＝0.6时，表面声子激发几乎消失，吸附氧的振动模移到94meV和130meV，且在175meV的地方能看到一个小峰。 * 图是CO和NO吸附在Ni(111)时得到的EELS谱，以及由此得出的CO和NO分子在Ni(311)面上的具体吸附位置。 两个损失谱峰分别属于CO分子本身碳原子—氧原子之间和CO分子—金属表面之间的拉伸振动。 表明CO分子只能直立地蹲在两度对称的桥式位置上（C2v对称)。而CO分子虽然也蹲在桥位上，但它相对表面取了一个倾斜方向。 * 低能电子能量损失谱的实验装置 低能电子能量损失谱的特点是： 1)初级电子能量很低，只有3一l0电子伏。 2)损失的能量很小(＜500毫电子伏)，谱线的半高宽约十几meV。要求能量分析器的分辨率为小于10meV。 3)电子能量损失谱对角度很灵敏，要求角分辨能力小于1.5度。 这些特点要求仪器有一个能量很低，单色性很好的初