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物 理 与电子学 院 变容二极管调频 实验报告 实验六 变容二极管调频 一、实验目的 掌握变容二极管调频的工作原理 学会测量变容二极管的Cj～V特性曲线； 学会测量调频信号的频偏及调制灵敏度。 二、实验仪器 40MHz双踪模拟示波器 一台 频谱仪（选项） 一台 万用表 一台 三、实验原理与线路 1、实验原理 1.1变容二极管调频原理 所谓调频，就是用调制信号去控制载波（高频振荡）的瞬时频率，使其按调制信息的规律变化。设调制信号：vΩ(t)=VΩmcosΩt载波vC(t)=VCmcos(ωCt+φ)。 根据定义，调频时载波的瞬时频率随调制信号线性变化，载波频率的变化为 Δω(t)=kfvΩ(t)=kfVΩmcosΩt=ΔωmcosΩt 调频信号的表示可以写成 vFM(t)=Vm0cos(ωCt+mfsinΩt+φ0) 式中：△ω＝KfVΩ是调频波瞬时频率的最大偏移，简称频偏，它与调制信号的振幅成正比。比例常数Kf亦称调制灵敏度，代表单位调制电压所产生的频偏。mf＝KfVΩ/Ω＝△ω/Ω＝△f / F 称为调频指数，是调频瞬时相位的最大偏移，它的大小反映了调制深度。 图6.1变容二极管调频原理 产生调频信号最常用的方法是利用变容二极管的特性直接产生调频波，其原理电路如图6.1所示。由于变容二极管Cj的电容值随外加电压vΩ的变化而变化，因此振荡器输出信号vo的频率也随着vΩ的幅值变化，实现调频。变容二极管Cj通过耦合电容C1并接在LCN回路的两端，形成振荡回路总电容的一部分。如C1取值较大，振荡回路的总电容C=CN+Cj振荡频率为： 加在变容二极管上的反向偏压为： VR=VQ（直流反偏）+υΩ（调制电压）+υ0（高频振荡，可忽略） 变容二极管利用PN结的结电容制成，在反偏电压作用下呈现一定的结电容（势垒电容），而且这个结电容能灵敏地随着反偏电压在一定范围内变化，其关系曲线称Cj～υR曲线，如图6.2所示。 图6.2 变容管结电容随外加电压的变化曲线 由图可见：未加调制电压时，直流反偏VQ所对应的结电容为CjΩ。当反偏增加时，Cj减小；反偏减小时，Cj增大，其变化具有一定的非线性，当调制电压较小时，近似为工作在Cj～υR曲线的线性段，Cj将随调制电压线性变化，当调制电压较大时，曲线的非线性不可忽略，它将给调频带来一定的非线性失真。 设未调制时的载波频率为f0，C0为调制信号为0时的回路总电容，Cm是变容二极管结电容变化的最大幅值，则 频偏 振荡器振荡频率 由此可见：振荡频率随调制电压线性变化，从而实现了调频。其频偏△f与回路的中心频率f0成正比，与结电容变化的最大值Cm成正比，与回路的总电容C0成反比。 为了减小高频电压对变容二极管的作用，减小中心频率的漂移，常将图6.1中的耦合电容C1的容量选得较小（与Cj同数量级），形成部分接入式变容二极管调频电路。对部分接入式变容二极管调频电路进行理论分析可得到其频偏公式： 式中为接入系数。 关于直流反偏工作点电压的选取，可由变容二极管的Cj～υR曲线决定。从曲线中可见，对不同的υR值，其曲线得斜率（跨导）SC=△Cj /△υ各不相同。υR较小时，SC较大，产生得频偏也大，但非线性失真严重，故调制电压不宜过大。反之，υR较大时，SC较小，达不到所需频偏的要求，所以VQ一般先选在Cj～υR曲线线性较好，且SC较大区段的中间位置，一般取手册上给的反偏数值。本实验将具体测出实验电路上的变容二极管的Cj～υR曲线，并由同学们自己选定VQ值，测量其频偏△f的大小。 1.2变容二极管Cj～υR曲线的测量。设CJX为变容二极管加不同反偏υRX时的结电容，其对应的振荡频率为fX；若断开变容二极管，由CN、L组成的并联谐振电路，对应的振荡频率为fN，则它们分别为： 由上面两式可求得 （1） fX、fN易测量，只要知道CN，就可测得变容二极管Cj～υR曲线。CN的测试方法如下：断开变容二极管，将一已知电容CK并接在回路LCN两端，此时对应的频率为fK，有 根据fN可得： （2） 1.3调制灵敏度 单位调制电压所引起的频偏称为调制灵敏度，以Sf表示，单位为KHz/V，即 式中，uΩm为调制信号的幅度（峰值）。 Sf越大，调制信号的控制作用越强，产生的频偏越大。 1.4实验线路 图6.3实验电原理图 使用+12V供电，振荡器Q81使用3DG12C，变容管使用IT32,Q82为隔离缓冲级。 主要技术指标