第三章热平衡态下半导体载流子的统计分布分解.ppt

第三章 热平衡态下半导体载流子的统计分布 热平衡 热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 本征半导体载流子浓度的计算 杂质半导体载流子浓度的计算 简并半导体载流子浓度的计算 §3-1 热平衡状态 一、 热平衡 在一定的温度下，存在： 产生载流子过程——电子从价带或杂质能级向导带跃迁 复合过程——电子从导带回到价带或杂质能级上 在一定温度下，产生数 ＝复合数 →热平衡状态 二、热平衡时载流子的浓度 载流子的浓度取决于： 允许电子存在的量子态在能带中按能量是如何分布的，或者说每一个能量E有多少允许电子存在的量子态 电子如何按能量分布在能带中的各能级上 假设： 导带中单位能量间隔含有的状态数为gc(E)——导带的状态密度 能量为E的每个状态被电子占有的几率为 f(E) 在能量dE内的状态具有的电子数为：f(E) gc(E) dE 整个导带的电子数N为： 式中Ec′为导带顶的能量 若晶体的体积为V，那么电子的浓度为： 空穴占据能量E的几率为：1-f(E) 空穴的浓度p为： 式中Ev′为价带底的能量 gv(E)为价带中单位能量间隔含有的状态数——价带的状态密度 §3-2 热平衡态时电子在量子态上的几率分布 一、费米分布函数和费米能级 晶体能带中电子的能量状态是量子化的，电子在各能级上的分布遵从费米分布。 在导带和价带