第十二章隔离分解.pptVIP

引言 隔离是集成电路设计和生产中必须解决的问题。因为半导体集成电路是在同一块半导体硅片上，通过平面工艺技术制造许多元件和器件（如电阻、电容、二极管、三极管等），并按需要将它们连接在一起，形成具有一定功能的电路。这些元件和器件所处的电位不同，相互之间必须绝缘隔离，否则半导体本身的电导将这些元件相互连通，就不可能在一个单晶片上制作集成电路。为此，必须设法使它们在电性能方面隔离开来，这就是隔离工艺所要达到的目的。 9 研磨单晶 多晶磨平后,反过来再以多晶面为基准磨单晶 磨去约200微米 直到显示出隔离槽图形,然后进行抛光,到隔离槽有一定宽度为止.这时,各个n型隔离岛也就形成.介质隔离的研磨对基准面要求很严格,因而对原始n型单晶面研磨的要求也很高,要求硅片两面平行,否则研磨中不易确定基准面. 下图就是因为原始单晶片两面不平行,使得隔离图形显示不均匀. 2.二氧化硅介质隔离的优缺点 优点 1 寄生电容小。例如1微米厚的二氧化硅,其两侧硅层之间的电容每平方微米仅 ,比pn结隔离单位面积的寄生电容小一个数量级。 2 击穿电压高、漏电流小。击穿电压与二氧化硅的厚度和质量有关，一般可从几十伏到几百伏。二氧化硅的电阻率约 ，因此漏电流小（微微安数量级）。 （3）容易制造互补电路。在pn结隔离中研制互补电路比较困难，为了提高npn晶体管的性能，常需掺金，而掺金对于pnp管的性能不利。在介质