无机化学（下）元素无机化学第4章PowerPoint.pptVIP

1000 2000 T/K -200 -400 -600 C+O2→CO2 2C+O2→2CO 2CO+O2→2CO2 ΔG ?/kJ·mol-1 0 -200 -400 -600 -800 -1000 273 1000 2000 3000 T/K ΔG2 2Cu2O+O2==2CuO 2CO+O2→2CO2 2/3Cr2O3 m C+O2→CO2 2C+O2→2CO TiO2 2/3Al2O3 2MgO b ● ● ● ● ● ● ● m m ΔG ? /kJ·mol-1 2Hg+O2==2HgO ΔG1 * * Fig.1. (a)Comparison of constant-potential ECD (4.5V) （掺铒多孔硅） (b)constant-current ECD (0.14mA/cm2) (c)PS control （多孔硅） 美国发明专利:“Rare earth doping of porous silicon” （“稀土掺入多孔硅中”） 2000年5月获授权 （专利号：6，056，868） 专利发明人：谢国伟、 黄伟国、龚孟濂、郑婉华。 M.L.Gong,J.X.Shi,W.K.Wong,K.K. Shiu, W.H.Zheng, K