在嵌入式设计中将FRAM用作闪存的替代方案.docVIP

在嵌入式设计中将FRAM用作闪存的替代方案 有多种存储技术均具备改变嵌入式处理领域格局的潜力。然而，迄今为止还没有哪一种技术脱颖而出成为取代微控制器（MCU）中闪存技术的强劲竞争者，直到FRAM的出现这种情况才得以改变。铁电随机存取存储器（FRAM）是一种非易失性的独立型存储技术，本文将论述FRAM的主要技术属性，同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。 FRAM是什么 FRAM为非易失性存储器，其功耗、可写入次数、读/写速度均与常用的静态RAM（SRAM）很相似。存储在FRAM单元中的信息对应于铁电晶体的极化状态，即使在电源移除之后亦能保存其内容。正是这一特点使FRAM拥有了真正的非易失性。而且，与闪存单元的编程相比，晶体极化所需的电能消耗相对较低，因此FRAM写入操作的功耗天生就比闪存的要低。 下面介绍的是目前几种采用了闪存技术的微控制器的典型应用。我们从中可以了解到，采用基于FRAM的MCU（而不是基于闪存的MCU）是如何实现成本、能耗与效率优化的。 数据录入 典型的数据录入应用（比如：温度数据录入器）能以介于1Hz至1000Hz之间的速率进行采样。 我们知道闪存中单个字节的写入时间约为75μs。相比之下，FRAM技术的写入速率则可达到大约每125ns一个字节。这种写入速度比闪存快了将近1000倍！我们考虑一下：当应用达到某个闪存段的末端并需要移动至下一个闪存段时，会突然出