第3编 功率器件.docVIP

* 第三编 功率器件 *要求：高电压、大电流、快速度、易控制 第九章 功率晶体管(GTR) (Giant Transistor：压降小，速度快) §9.1 特性与保护 一、特性参数 结构特性： GTR结构 符号 共射极伏安特性 共射极电流增益特性 主要参数： 放大系数：hFE=IC/IB 最大电流：ICM (常指hFE降半处之值) 饱和压降：VCE(sat) (饱和应适度，准饱和) 最大功耗：PCM=(Tjm-TC)/Rjc 击穿电压：VCEX等 （反偏最高） 维持电压：VCEX(sus)等 （大电流耐压） 开关时间：ton，toff (影响开关速度、开关损耗) ton = td + tr (0.1 IB～0.9 IC)?; toff = ts + tf (0.9 IB～0.1 IC)?; 开关损耗：PSW=Pon+Poff (理想开关：iv=0，P=0；实际开关：P=∫ivdt≠0。) 安全工作区：SOA (I、V、P应在SOA内) 开通损耗 关断损耗 正偏SOA 反偏SOA 二、驱动与保护 驱动电路： 准饱和（抗饱和）→